[发明专利]等离子蚀刻单颗化半导体封装和相关方法有效
| 申请号： | 201610819522.3 | 申请日： | 2016-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN106558540B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | D·楚伊特 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明等离子蚀刻单颗化半导体封装和相关方法。提供了多个半导体封装，其特征在于：未单颗化的半导体封装的阵列，至少部分地包封在包封材料中，所述阵列被通过以下方式单颗化：使用等离子蚀刻工艺以及蚀刻掩模和夹具在所述包封材料中同时蚀刻多条第一平行单颗化线；以及使用所述等离子蚀刻工艺以及蚀刻掩模和所述夹具在所述包封材料中同时蚀刻多条第二平行单颗化线，从而将所述阵列单颗化以形成多个单颗化的半导体封装，所述多条第二平行单颗化线基本上垂直于所述多条第一平行单颗化线。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 蚀刻 单颗化 半导体 封装 相关 方法 | ||
【主权项】：
多个半导体封装，其特征在于：未单颗化的半导体封装的阵列，至少部分地包封在包封材料中，所述阵列被通过以下方式单颗化：使用等离子蚀刻工艺以及蚀刻掩模和夹具在所述包封材料中同时蚀刻多条第一平行单颗化线；以及使用所述等离子蚀刻工艺以及蚀刻掩模和所述夹具在所述包封材料中同时蚀刻多条第二平行单颗化线，从而将所述阵列单颗化以形成多个单颗化的半导体封装，所述多条第二平行单颗化线基本上垂直于所述多条第一平行单颗化线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
