[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：在通道层上形成包含铟和锌的金属氧化物的第一子层；形成包含金属的第二子层覆盖于所述第一子层上；形成包含铟和锌的金属氧化物的第三子层覆盖于所述第二子层上；所述第一子层、第二子层和第三子层蚀刻形成一凹槽贯穿所述第一子层、第二子层和第三子层,以形成通过凹槽得以间隔的源极与漏极；沿第三子层指向第一子层的方向，该凹槽的尺寸逐渐变小。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其包括：提供一基底；在所述基底上形成通道层；其特征在于：在通道层上形成第一子层，所述第一子层包含铟和锌的金属氧化物材料，所述第一子层中的铟原子个数占铟锌原子个数总量的比重与锌原子个数占铟锌原子个数总量的比重之比定义为第一铟锌比；形成第二子层覆盖于所述第一子层上，所述第二子层包含金属材料；形成第三子层覆盖于所述第二子层上，所述第三子层包含含有铟和锌的金属氧化物材料，所述第三子层中的铟原子个数占铟锌原子个数总量的比重与锌原子个数占铟锌原子个数总量的比重之比定义为第二铟锌比，；对所述第一子层、第二子层和第三子层进行蚀刻形成一凹槽贯穿所述第一子层、第二子层和第三子层，以形成通过凹槽得以间隔的源极与漏极；其中所述第二铟锌比小于所述第一铟锌比，沿第三子层指向第一子层的方向，该凹槽的尺寸逐渐变小。