专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]气体感测器及其制备方法-CN201911357815.4有效
  • 张炜炽;林欣桦;施博理 - 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
  • 2019-12-25 - 2023-05-26 - G01N27/12
  • 一种气体感测器,其包括:基板;底栅极,其位于在基板的一表面;绝缘层,其位于在所述基板具有所述底栅极的表面上且完全覆盖所述底栅极;半导体层,其位于所述绝缘层远离所述基板的一侧;相互间隔的源极和漏极,均与半导体层连接;钝化层,其覆盖所述半导体层;以及顶栅极,其位于所述钝化层远离所述基板的表面且与所述源极和漏极均间隔设置,所述顶栅极的材质为导电的气体敏感材料。本发明还提供气体感测器的制备方法。所述气体感测器利用吸附气体改变顶栅极的电势,从而影响所述漏极的电流,进而可以根据漏极的电流变化侦测气体,所述气体感测器具有较快的感测速度且感测更加精准。
  • 气体感测器及其制备方法
  • [发明专利]传感器和应用该传感器的检测装置-CN201910957992.X在审
  • 林欣桦;张炜炽;施博理;杨沼俊;陆一民 - 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
  • 2019-10-10 - 2021-04-13 - G01N33/53
  • 一种传感器,包括:超声波元件,其包括相对间隔且相互电性绝缘设置的第一电极、第二电极、设置在所述第二电极上的绝缘层,以及设置在所述第一电极和所述绝缘层之间的振膜,所述绝缘层和所述振膜围合形成一密封的空腔,且所述第一电极承载在所述振膜上,当所述第一电极和所述第二电极之间形成电势差,所述振膜振动以形成预定频率范围的超声波;以及结合体,设置于所述第一电极远离所述第二电极的表面,用于与待测物中的目标检测物结合,当所述结合体与目标检测物结合时改变所述振膜的承载重量,从而使所述超声波的频率范围发生变化。本发明还提供应用上述传感器的检测装置。所述传感器的结构简单,能够快速判断是否有目标检测物与结合体结合。
  • 传感器应用检测装置
  • [发明专利]薄膜晶体管的制作方法-CN201510279452.2有效
  • 施博理;高逸群;李志隆;方国龙;林欣桦 - 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
  • 2015-05-28 - 2019-12-17 - H01L29/786
  • 一种薄膜晶体管的制造方法,包括:于基板上形成栅极及栅极绝缘层;于栅极绝缘层上覆盖导电层;于导电层上形成第一光阻层,并以一光罩及栅极分别作为正背面曝光掩膜对第一光阻层进行正背面同时曝光以形成第一图案化光阻层;去除未被第一图案化光阻层覆盖的导电层以形成导电通道层;于导电通道层上依次形成半导体层及第二光阻层,并以上述光罩及栅极分别作为正背面曝光掩膜对第二光阻层进行正背面同时曝光以形成第二图案化光阻层;去除未被第二图案化光阻层覆盖的半导体层以形成半导体通道层;形成源极及漏极。分别进行曝光制程以形成半导体通道层及导电通道层时,均采用同一光罩,因而无需针对不同的曝光制程制造不同的光罩,利于降低制造成本。
  • 薄膜晶体管制作方法
  • [发明专利]薄膜晶体管阵列基板-CN201610809247.7有效
  • 高逸群;林欣桦;施博理;张炜炽;陆一民;吴逸蔚 - 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
  • 2016-09-08 - 2019-10-25 - H01L27/12
  • 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板,其第二导电层为多层结构,所述多层结构的第二导电层还形成为间隔设置的源极和漏极,第二导电层至少包含:第一子层,其位于通道层上且与所述通道层电连接;第二子层,其位于所述第一子层上;第三子层,其位于所述第二子层上;所述第一子层、第三子层包含含有铟和锌的金属氧化物材料;所述第一子层中的铟锌原子比大于所述第三子层中的铟锌原子比;所述第二导电层中形成有一凹槽位于所述源极和所述漏极之间,所述第一子层和所述第三子层铟锌原子比的差异影响蚀刻过程中凹槽的轮廓的形成,导致该凹槽在所述第三子层的宽度大于该凹槽在所述第一子层的宽度。
  • 薄膜晶体管阵列

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