[发明专利]一种多晶硅的制作方法及多晶硅薄膜

摘要

本发明实施例公开了一种多晶硅的制作方法及多晶硅薄膜，包括：在衬底基板上形成用于种植晶种的膜层；在膜层的表面形成以设定间距等间距阵列排列的多个凹槽结构；在膜层上形成包含种植在各凹槽结构内构成晶种的非晶硅层；对非晶硅层进行激光退火处理，使非晶硅从各晶种的位置开始生长结晶，形成具有间距晶粒尺寸的四方晶体系的多晶硅层。由于各凹槽结构在膜层的表面呈四方形阵列排布，因此，种植在各凹槽结构内的晶种可以构成四方形排布，可以使其上设置的的非晶硅层在进行激光退火处理时从各晶种的位置开始生长结晶，从而获得晶粒尺寸较大、晶粒尺寸单一、且晶相稳定的四方晶体系的多晶硅。

主权项

1.一种多晶硅的制作方法，其特征在于，包括：/n在衬底基板上形成用于种植晶种的膜层；/n在所述膜层的表面形成以设定间距等间距阵列排列的多个凹槽结构；/n在所述膜层上形成包含种植在各所述凹槽结构内构成晶种的非晶硅层；/n对所述非晶硅层进行激光退火处理，使非晶硅从各所述晶种的位置开始生长结晶，形成具有所述间距晶粒尺寸的四方晶体系的多晶硅层；/n在衬底基板上形成用于种植晶种的膜层包括：/n在衬底基板之上形成的缓冲层；/n设置于所述缓冲层之上的至少一层多晶硅；/n当所述膜层包括所述缓冲层和设置于所述缓冲层之上的至少一层多晶硅时，在自下而上的非第一个所述膜层的表面形成以设定间距等间距阵列排列的多个凹槽结构，具体包括：/n以所述自下而上的非第一个所述膜层的上一个所述膜层表面形成的各凹槽结构设定间距的二倍，在该所述膜层的表面形成等间距阵列排列的多个凹槽结构；且在该膜层的表面形成的凹槽结构在衬底基板上的正投影与上一个所述膜层的表面形成的凹槽结构的正投影位置重叠。/n