[发明专利]具有Al‑Si3N4‑Ti/Ni/Ag结构的快恢复二极管在审
| 申请号： | 201610794935.0 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106356402A | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 苏柳青;薛云峰;郝雪东;田振兴;王斌 | 申请（专利权）人： | 吉林麦吉柯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L29/45;H01L29/861 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 132013*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 具有Al‑Si3N4‑Ti/Ni/Ag结构的快恢复二极管属于半导体技术领域，解决了Si3N4易断裂的问题。该二极管从下至上依次为Si‑SiO2快恢复二极管、Al层、Si3N4和Ti/Ni/Ag金属层；采用蒸发或者溅射的方式在Si‑SiO2快恢复二极管的P型Si上制作Al层后，淀积Si3N4保护层，最后在Al层对应的Si3N4保护层开口溅射Ti/Ni/Ag金属层。本发明将Ti/Ni/Ag金属层置于钝化层Si3N4上，解决了由于Ag反光率高导致与Si3N4接触后容易产生Si3N4脱落和断裂的现象，从而实现批量生产。增加了Al在第一层，Al与P+、N+硅或多晶硅能形成低阻的欧姆接触，使得芯片的正向压降最小，而且与绝缘体SI3N4有良好的附着性，性能最优。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 al si3n4 ti ni ag 结构 恢复 二极管 | ||
【主权项】：
具有Al‑Si3N4‑Ti/Ni/Ag结构的快恢复二极管，其特征在于，该二极管从下至上依次为：Si‑SiO2快恢复二极管、Al层、Si3N4和Ti/Ni/Ag金属层；采用蒸发或者溅射的方式在Si‑SiO2快恢复二极管的P型Si上制作Al层后，淀积Si3N4保护层，最后在Al层对应的Si3N4保护层开口溅射Ti/Ni/Ag金属层。
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