[发明专利]像素结构及其显示面板有效
申请号: | 201610755478.4 | 申请日: | 2016-08-29 |
公开(公告)号: | CN106129097B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 林世亮;郭庭玮;陈佳楷 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃铱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种像素结构,具有第一薄膜晶体管与第一储存电容,设置于可挠性基板上。第一薄膜晶体管具有栅极,第一储存电容具有电容电极。电容电极下方具有相对应的第一导电电极,且电容电极与第一导电电极的垂直投影于基板上的投影至少一部分重叠。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,包括:一可挠性基板;一缓冲层,设置于该可挠性基板上;一第一保护层,设置于该缓冲层之上,且具有一开孔区;一第一导电电极,设置于该缓冲层上的该第一保护层中的该开孔区内;一半导体层,设置于该第一保护层上,其中该第一导电电极未延伸至该半导体层下方;一栅极绝缘层,设置于该半导体层上;一电极层,设置于该栅极绝缘层上,且该电极层具有至少一栅极与至少一电容电极,其中,该栅极与该半导体层垂直投影于该可挠性基板上的投影部分重叠,该电容电极与该第一导电电极垂直投影于该可挠性基板上的投影至少一部分重叠,且该电容电极与该第一导电电极耦合成一储存电容,其中,该半导体层未延伸至该电容电极下方;一第二保护层,设置于该栅极、该电容电极与该栅极绝缘层上,该栅极绝缘层与该第二保护层具有一第一贯孔与一第二贯孔;一源极与一漏极,分别设置于该第二保护层上且相互分隔,该源极与该漏极分别通过该第一贯孔与该第二贯孔与该半导体层接触,其中,该栅极、该源极、该漏极以及夹设于该栅极、该源极与该漏极之间的该半导体层构成一薄膜晶体管;一第三保护层,设置于该源极、该漏极与该第二保护层上;一有机平坦层,设置于部分该第三保护层上,且该第三保护层与该有机平坦层具有一至少一第三贯孔;以及一像素电极,设置于该有机平坦层上,且该像素电极通过该第三贯孔与该源极或漏极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的