[发明专利]高压二极管镀镍硅片前处理清洗方法

摘要

本发明公开了电子器件的加工领域的一种高压二极管镀镍硅片前处理清洗方法。其特征在于：所述的处理清洗方法包括以下步骤：1)碱性溶液配制、2)二甲基乙酰胺超声清洗、3)乙醇浸洗、4)乙醇超声波清洗、5)纯水超声波清洗、6)三级水洗、7)热碱处理和9)纯水清洗。本发明具有脱脂脱砂效果好、环保和降低成本等优点。

主权项

1.一种高压二极管镀镍硅片前处理清洗方法，其特征在于：所述的处理清洗方法包括以下步骤：1)碱性溶液配制：称取250g KOH,倒入KOH玻璃方缸槽内,然后再用量筒量取2750ml纯水倒入,用搅拌棒搅拌充分,使之溶解，所配制的氢氧化钾溶液的浓度为10％；2)二甲基乙酰胺超声清洗：把喷沙后的硅片一片一片地放入花篮，把装有硅片的花篮放入二甲基乙酰胺超声清洗槽，打开超声波开关，其功率设定在“强”的位置，并给花篮装上把手，将装有硅片的花篮放入N‑二甲基乙酰胺超声清洗槽内进行超声波清洗，清洗时间为5±0.5min，清洗槽的液量能使装有硅片后的花篮全部淹没；3)乙醇浸洗：将二甲基乙酰胺超声清洗后的花篮取出放入乙醇槽内，浸没处理5±0.5min；4)乙醇超声波清洗：将花篮放进乙醇超声波槽内清洗，5±0.5min；5)纯水超声波清洗：把花篮取出放入纯水超声波槽内清洗5±0.5min；6)三级水洗：将花篮用纯水清洗三次，每次5±0.5min；7)用40％氢氟酸浸泡2±0.2min，然后再将花篮放入纯水洗净槽清洗2±0.2min；8)热碱处理：花篮移进KOH槽中处理2±0.2min，液温保持在57.5℃土2.5℃；9)花篮用纯水清洗5±0.5min，并上下摆动。