[发明专利]形成图像传感器器件中的多晶硅栅极结构的方法

摘要

一种制造图像传感器器件中的多晶硅栅极结构的方法，包括在衬底的表面上沉积栅极介电层。然后在栅极介电层上方沉积多晶硅层。接下来，在多晶硅层上方沉积保护膜。在保护膜上方形成硬掩模，并图案化多晶硅栅极结构。此后，剥离硬掩模。保护膜显示对多晶硅层的蚀刻选择性并具有40和60埃之间的厚度。通过磷酸溶液湿蚀刻工艺去除硬掩模。本发明实施例涉及形成图像传感器器件中的多晶硅栅极结构的方法。

主权项

一种制造图像传感器器件中的多晶硅栅极结构的方法，包括：在衬底的表面上沉积栅极介电层；在所述栅极介电层上方沉积多晶硅层；在所述多晶硅层上方沉积保护膜；在所述保护膜上方形成硬掩模；图案化所述多晶硅栅极结构；以及剥离所述硬掩模。