[发明专利]双重图形化的方法有效
| 申请号： | 201610664716.0 | 申请日： | 2016-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN107731666B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;王彦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种双重图形化的方法，包括：在核心层顶部和侧壁上以及基底上形成侧墙层；在侧墙层上形成填充满相邻核心层之间区域的牺牲层；去除高于核心层顶部的侧墙层，暴露出所述核心层顶部；刻蚀去除第一厚度核心层，且还刻蚀所述侧墙层顶部以及高于剩余核心层的第一侧壁，使得高于剩余核心层顶部的第一侧壁呈弧形；去除所述牺牲层，暴露出所述侧墙层的第二侧壁；采用各向异性刻蚀工艺回刻蚀所述侧墙层，刻蚀去除位于部分基底上的侧墙层，且还刻蚀所述侧墙层的第二侧壁以及第一侧壁；去除所述剩余核心层；以所述回刻蚀后的侧墙层为掩膜，刻蚀所述基底形成目标图形。本发明改善了形成的目标图形的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 双重 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种双重图形化的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有若干分立的核心层；在所述核心层顶部和侧壁上以及基底上形成侧墙层，其中，位于所述核心层侧壁上的侧墙层具有相对的第一侧壁以及第二侧壁，所述第一侧壁紧挨所述核心层；在所述侧墙层上形成填充满相邻核心层之间区域的牺牲层，所述牺牲层紧挨所述第二侧壁；去除高于所述核心层顶部的侧墙层，暴露出所述核心层顶部；刻蚀去除第一厚度核心层，且还刻蚀所述侧墙层顶部以及高于剩余核心层的第一侧壁，使得高于剩余核心层顶部的第一侧壁呈弧形；去除所述牺牲层，暴露出所述侧墙层的第二侧壁；采用各向异性刻蚀工艺回刻蚀所述侧墙层，刻蚀去除位于部分基底上的侧墙层，且还刻蚀所述侧墙层的第二侧壁以及第一侧壁；去除所述剩余核心层；以所述回刻蚀后的侧墙层为掩膜，刻蚀所述基底形成目标图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
