[发明专利]红外线传感器高真空封装结构及其方法有效
申请号: | 201610651016.8 | 申请日: | 2016-08-10 |
公开(公告)号: | CN107742654B | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 王志鑫;周雪峰;林明芳;方豫龙 | 申请(专利权)人: | 菱光科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/0203;H01L27/146 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 毛广杰 |
地址: | 中国台湾台北市内*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种红外线传感器高真空封装结构及其方法,包括备有一基座,将红外线感测芯片黏于该腔体内部,以打线技术使多条金属导线电性连接该基座与该红外线感测芯片,将焊料片置于该腔体中。备有一金属上盖,将光学透视窗固接于该金属上盖上。以黏着技术或涂布技术将吸气剂设于该光学透视窗及该金属上盖上,将该金属上盖及该基座送入于回焊炉中。以加热方式先对吸气剂进行加热,激活该吸气剂达到工作状态。以该回焊炉将该基座的焊料片熔解将该金属上盖焊接于该基座上,使该腔体形成高真空状态。本发明使红外线传感器体积缩小可朝微型化设计,使封装制程工艺减少,以降减少零件的产生及基座的污染,提高封装的泄漏率与使用年限,降低制作成本。 | ||
搜索关键词: | 红外线 传感器 真空 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种红外线传感器高真空封装方法,其特征在于,包括:a)、备有一基座,该基座具有一腔体及多个导电部,该多个导电部一端延伸于该腔体内并形成裸露状态的焊点;b)、于该基座的腔体涂布胶体,将一红外线感测芯片黏着于该腔体内部,该红外线感测芯片具有一红外线的晶圆,该晶圆电性黏贴到电路板上,该电路板上具有多个导电接点;c)、以电浆清洗基座的多个该焊点及该红外线感测芯片的该多个导电接点;d)、将多条金属导线电性连接于该基座的多个该焊点及该红外线感测芯片的该多个导电接点之间;e)、将焊料片置于该基座的腔体中,检测焊料片的焊接稳固性;f)、以输入信号给红外线感测芯片,以测试该红外线感测芯片的晶圆是否有损坏;g)、备有一金属上盖,该金属上盖具有一凸起部,该凸起部具有一窗口;h)、电浆处理,将金属上盖进行电浆处理;i)、将焊料片置于该金属上盖,以加热处理后,将光学透视窗固接于该金属上盖上;j)、在该金属上盖与该光学透视窗固接后,将进行该金属上盖与该光学透视窗的接合处是否以有漏气现象;k)、通过黏着技术或涂布技术将吸气剂设于该光学透视窗的第二表面上及该金属上盖的的凸起部内部;l)、将金属上盖及该基座一起送入于回焊炉中;m)、以加热方式对光学透视窗上的吸气剂进行加热,激活该吸气剂达到工作状态;n)、以该回焊炉将该基座的焊料片熔解将该金属上盖焊接于该基座上,使该腔体形成高真空状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的