[发明专利]一种通过真空溅射技术制造的LED光源的制造方法在审

专利信息
申请号: 201610641890.3 申请日: 2016-08-08
公开(公告)号: CN107706280A 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: 李俊东;柳欢;陈健平;刘云 申请(专利权)人: 深圳市斯迈得半导体有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/60
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种通过真空溅射技术制造的LED光源的制造方法,它涉及LED光源技术领域。基材的上方通过基材填充胶材与LED支架固定连接,LED支架上方中部设置有避空装置,所述的避空装置的上方安装有芯片,芯片上焊接有金线,芯片和金线的上方封装有荧光胶。基材主体选取铝材,通过真空溅射技术,在特定基材上部沉积铜或银或锡或镍或锌等材料,形成容易焊接界面,做成LED封装支架铝材,该工艺保护材料表面不容易被硫化,溴化,氧化等,提高基材反射率和光泽度。通过控制表面氧化钛,氧化钛及银层厚度,可实现在特制LED支架基板表面打线,正反面焊接功能,且特制LED支架成型加工工艺多样。
搜索关键词: 一种 通过 真空 溅射 技术 制造 led 光源 方法
【主权项】:
一种通过真空溅射技术制造的LED光源的制造方法,其特征在于:所述的真空溅射技术制造的LED光源:包含基材(1)、支架填充胶材(a)、LED支架(2)、荧光胶(3)、芯片(4)、金线(5)和避空装置(6), 基材(1)的上方通过基材填充胶材(a)与LED支架(2)固定连接,LED支架(2)上方中部设置有避空装置(6),所述的避空装置(6)的上方安装有芯片(4), 芯片(4)上焊接有金线(5), 芯片(4)和金线(5)的上方封装有荧光胶(3),所述的LED支架(2)的底部为倒T型设计;所述的真空溅射技术制造的LED光源的制造方法为:步骤一:基材(1)工艺处理:所述的基材(1)上表面通过真空溅射技术沉积铜或银或锡或镍或锌等材料;步骤二:LED支架制作:用热固或热塑成型方式填充相应结构LED支架(2),且LED支架(2)中部设置有避空装置(6),步骤三:led封装工艺:在LED支架(2)上通过进行点胶,安装芯片(4),焊金线(5)等工艺制成成型的LED半成品;步骤四:通过调配荧光胶比例,将荧光胶层(3)灌封在LED半成品上,并且进行烘烤固化成型做成所需的LED光源灯珠。
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