[发明专利]一种通过修饰前驱体来调控碳化硅热导率的方法有效
| 申请号： | 201610602225.3 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106278278B | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 王一光;李珍宝;张立同;成来飞 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/571 | 分类号： | C04B35/571;C04B35/622;C04B35/80 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过修饰前驱体来调控碳化硅热导率的方法，基于前驱体具备分子水平上可设计性的特点，利用分段加热聚合，完成相分离。结合浸渍裂解工艺获得纤维增强的SiC复合材料或通过裂解、用传统陶瓷制备工艺获得SiC制品。制备的材料在显微结构上具备较大差异的晶粒尺寸、相分布模式及界面特性，从而使得SiC材料的热导率在大范围内变动。在特定工艺条件下，SiC材料高温下仍具备较高的热导率。 | ||
| 搜索关键词： | 热导率 前驱体 碳化硅 修饰 浸渍裂解工艺 晶粒 传统陶瓷 分布模式 分段加热 分子水平 工艺条件 界面特性 可设计性 纤维增强 显微结构 制备工艺 相分离 调控 裂解 制备 聚合 | ||
【主权项】：
1.一种通过修饰前驱体来调控碳化硅热导率的方法，其特征在于步骤如下：步骤1：将含碳小分子有机物和聚碳硅烷前驱体按质量比为0％－50％进行混合，利用两者聚合性能差异，通过分段加热进行相分离实现对聚碳硅烷前驱体的修饰；所述含碳小分子有机物需含双键官能团，或需含苯环，或同时含有双键和苯环；所述聚碳硅烷需含硅氢键，或需含碳碳双键；所述分段加热指在50‑110℃可控聚合30‑80min，再升温至130‑250℃进一步聚合1‑24h，实现聚合物前驱体的相分离修饰；所述含双键官能团的含碳小分子有机物为苯乙烯、二乙烯基苯、丙烯腈、甲基丙烯酸甲酯或过氧化二异丙苯；步骤2：将修饰的聚碳硅烷前驱体在600‑1400℃进行裂解，再用常用陶瓷制备工艺获得热导率可控的SiC。
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