[发明专利]多路径电感结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610596380.9 申请日: 2016-07-27
公开(公告)号: CN106684071B 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 黎坡 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提出了一种多路径电感结构及其制造方法,在形成多路径电感结构时,不对其进行刻蚀分开,形成半刻蚀结构和连接结构,由于半刻蚀结构的底部相连,连接结构则不进行任何刻蚀,从而半刻蚀结构使得每条导电路径的电流分布均匀,而连接结构除进一步增加了每条导电路径电流分布的均匀性外,还降低了直流电阻,从而提高了多路径电感结构的性能,增加所有频率下的Q值以及自谐振频率fSR
搜索关键词: 路径 电感 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种多路径电感结构,其特征在于,包括:底部、半刻蚀结构和连接结构,所述半刻蚀结构和连接结构均位于所述底部上,所述半刻蚀结构为多条在第一方向平行排列的条形,所述连接结构为多条平行排列在第二方向的条形,所述第一方向为竖直方向,所述第二方向为水平方向,多条所述半刻蚀结构的底部相连,所述连接结构连接在多条所述半刻蚀结构之间。
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