[发明专利]在芯片制造过程中跳过晶圆破裂处的方法

摘要

本发明公开了一种在芯片制造过程中跳过晶圆破裂处的方法，将晶圆分割为多个间距相等的测量等分，作为测量坐标；单片机通过变频器对步进电机进行控制，步进电机每转动一次，丝杆控制滑动块移动一个测量坐标的位移距离；滑动块带动支撑架以及安装在支撑架的红外线装置移动一个测量坐标的位移距离，单片机控制红外线发射仪和红外线接收仪开始工作；红外线接收仪将此测量坐标的红外接收数据传至单片机，单片机对此红外接收数据进行判断，如果数据异常，则将此测量坐标储存于储存器本发明通过红外线入射到晶圆完好表面和晶圆破损表面的发射率不同，可有效检测晶圆的破损处，并对晶圆破损处的坐标进行检测、记录，并在制造过程中跳过晶圆破损处。

主权项

一种在芯片制造过程中跳过晶圆破裂处的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、使得滑动块(5)滑动至滑轨轨道(4)的一端；红外线装置(7)位于晶圆放置位(2)的一个边缘；步骤2、将晶圆放置于晶圆放置位(2)；步骤3、将晶圆分割为多个间距相等的测量等分，作为测量坐标；单片机(11)通过变频器(10)对步进电机(9)进行控制，步进电机(9)每转动一次，丝杆(8)控制滑动块(5)移动一个测量坐标的位移距离；步骤4、滑动块(5)带动支撑架(6)以及安装在支撑架(6)的红外线装置(7)移动一个测量坐标的位移距离，单片机(11)控制红外线发射仪(71)和红外线接收仪(72)开始工作；步骤5、红外线接收仪(72)将此测量坐标的红外接收数据传至单片机(11)，单片机(11)对此红外接收数据进行判断，如果数据异常，则将此测量坐标储存于储存器(12)步骤6、进行半导体制造工艺，单片机(11)控制移动装置，带动半导体制造装置，按照测量坐标的位移距离对半导体晶圆进行处理；并在制造过程中，读取储存器(12)中的数据，跳过储存于存储器(12)中的测量坐标。