[发明专利]沟槽刻蚀工艺方法

摘要

本发明公开了一种沟槽刻蚀工艺方法，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成第一外延层；步骤二、在第一外延层表面形成介质膜的图形，介质膜覆盖区域设置在沟槽的形成区域；步骤三、形成第二外延层；步骤四、采用光刻刻蚀工艺对第二外延层进行第一次刻蚀形成沟槽，第一次刻蚀以介质膜为刻蚀阻挡层；步骤五、去除介质膜。本发明能实现对沟槽深度的精确控制，保证晶圆片内不同位置、不同尺寸的沟槽具有相同的深度，能极大地提高工艺稳定性。

主权项

1.一种沟槽刻蚀工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成第一外延层；步骤二、在所述第一外延层表面形成介质膜的图形，所述介质膜覆盖区域设置在沟槽的形成区域；步骤三、在形成有所述介质膜图形的所述第一外延层表面进行外延生长形成第二外延层；步骤四、采用光刻工艺在所述第二外延层表面定义出所述沟槽的形成区域并对所述沟槽的形成区域中的所述第二外延层进行第一次刻蚀形成所述沟槽，所述第一次刻蚀为各向异性刻蚀，以所述介质膜作为所述第一次刻蚀的阻挡层并使所述第一次刻蚀停止在所述介质膜上，同一所述半导体衬底上不同位置处的不同宽度或相同宽度的所述沟槽的深度都相同；步骤五、去除所述介质膜。