[发明专利]MEMS晶圆的切割方法有效
| 申请号： | 201610565947.6 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN106006547B | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 周晔;王琳琳;刘政谚;刘雨微;孟珍奎 | 申请（专利权）人： | 瑞声声学科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS晶圆的切割方法，该切割方法包括如下步骤提供第一MEMS晶圆；在所述第一MEMS晶圆的表面键合第一结构层；利用光刻工艺在所述第一结构层上形成贯穿其上下表面的第一划片槽及隔断第一划片槽并由所述第一结构层构成的第一阻挡部；提供第二MEMS晶圆，将其键合至所述第一结构层上；采用激光切割工艺沿所述划片槽进行切割，以分离MEMS芯片和假片。与相关技术相比，本发明提供的MEMS晶圆的切割方法显著降低了在进行激光切割时MEMS晶圆非活动区域上的结构层对激光聚焦的影响，提高了切割效率。 | ||
| 搜索关键词： | mems 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS晶圆的切割方法，其特征在于，该切割方法包括如下步骤：提供第一MEMS晶圆，其包括用于制作第一MEMS芯片的第一活动区域和环绕所述第一活动区域设置以用于制作假片的第一非活动区域；在所述第一MEMS晶圆的表面键合第一结构层；切割步骤：切割所述第一结构层形成贯穿其上下表面的第一划片槽及用于隔断所述第一划片槽并由所述第一结构层构成的第一阻挡部；所述第一划片槽将所述第一结构层分割为多个覆盖所述第一活动区域的第一MEMS芯片，以及多个覆盖所述第一非活动区域的第一假片；所述第一阻挡部设于相邻两个所述第一假片之间，以连接相邻两个所述第一假片；提供第二MEMS晶圆；密封步骤：将所述第二MEMS晶圆键合于所述第一结构层远离所述第一MEMS晶圆的表面上，所述第二MEMS晶圆覆盖在所述第一MEMS芯片上方并与所述第一MEMS晶圆形成封闭空腔；分离步骤：沿所述第一划片槽进行切割以分离所述覆盖所述第一MEMS芯片的所述第二MEMS晶圆；所述第二MEMS晶圆包括用于制作第二MEMS芯片的第二活动区域和环绕所述第二活动区域设置以用于制作第二假片的第二非活动区域。
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