[发明专利]半导体元件有效

专利信息
申请号: 201610565349.9 申请日: 2016-07-18
公开(公告)号: CN106876341B 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 王泰瑞;张祖强;鍾育华;陈韦翰;姚晓强 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 祁建国;梁挥
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种半导体元件,包括可挠式基板、阻隔层、绝热层、元件层、介电材料层以及应力吸收层。阻隔层配置于可挠式基板上。绝热层配置于阻隔层上,其中绝热层的导热系数小于20W/mK。元件层配置于绝热层上。介电材料层配置于元件层上,且介电材料层以及绝热层中包括至少一沟渠。应力吸收层配置于介电材料层上,且应力吸收层填入所述至少一沟渠中。
搜索关键词: 半导体 元件
【主权项】:
一种半导体元件,其特征在于,包括:可挠式基板;阻隔层,配置于该可挠式基板上;绝热层,配置于该阻隔层上,其中该绝热层的导热系数小于20W/mK;元件层,配置于该绝热层上;介电材料层,配置于该元件层上,其中该介电材料层以及该绝热层中包括至少一沟渠;以及应力吸收层,配置于该介电材料层上,且该应力吸收层填入该至少一沟渠中。
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