[发明专利]具备超低顺向电压的晶粒尺寸封装二极管元件及制造方法

摘要

本发明公开了一种具有具备超低顺向电压的晶粒尺寸封装二极管元件及其制造方法，该二极管元件是直接利用第二电极以外的全部区域作为第一电极，及/或采用穿孔贯穿第一电极的正背面并导通后，经切割后即可形成一体积更小的晶粒尺寸封装二极管元件成品；由于本发明中的第一电极无须通过磊晶层或扩散层作导通，因此能避开内阻而降低顺向电压，并具备简化制程、提升质量、降低成本、以及让二极管元件更轻薄短小等诸多优点。

主权项

一种具备超低顺向电压的晶粒尺寸封装二极管元件的制造方法，其特征在于：直接利用第二电极以外的全部区域作为一二极管元件的第一电极，使第一电极无磊晶层或扩散层覆盖，该方法包含下列步骤：第一步骤：将一基板的正面划分为多个二极管元件区，每一二极管元件区的外围预留有切割道以及内围配置一第二电极区，且每一二极管元件区在其第二电极区以外的位置全部作为第一电极区；第二步骤：在上述每一二极管元件区的第二电极区配置位置上制作一磊晶平台，使该基板除了磊晶平台以外的全部区域皆为第一电极区的电性范围；第三步骤：在前述磊晶平台上根据二极管元件的电气特性制作一电气层以完成第二电极区的电性制作；第四步骤：对位于第一电极区的基板表面以及第二电极区的电气层表面分别披覆一层金属层后，由每一二极管元件区周围所预留的切割道位置予以切割。