[发明专利]一种用于测量光子飞行时间的LFSR计数器在审
申请号: | 201610526986.5 | 申请日: | 2016-07-06 |
公开(公告)号: | CN106226776A | 公开(公告)日: | 2016-12-14 |
发明(设计)人: | 赵毅强;赵佳姮 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | G01S17/48 | 分类号: | G01S17/48;H03K19/20;H03K3/3562 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人: | 李丽萍 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于测量光子飞行时间的LFSR计数器,包括14个相同的双边沿C2MOS触发器,1个四输入的异或门XNOR和1个nmos置位开关。14个相同的双边沿C2MOS触发器C0~C13;nmos置位开关的源极是输入控制端口VS,nmos置位开关的栅极是输入控制端口VG,nmos置位开关的衬底与地VSS相连;nmos置位开关的漏极与双边沿C2MOS触发器C0的输入端D相连。本发明所用器件少,而且采用双边沿触发方式,既减小了电路面积,同时又降低了时钟频率。采用一个nmos置位开关,避免了对反馈网络组合逻辑的繁琐设计,使得反馈网络仅用一个四输入异或门实现,极大地减小了电路面积,同时避免了死循环现象的发生。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 测量 光子 飞行 时间 lfsr 计数器 | ||
【主权项】:
一种用于测量光子飞行时间的LFSR计数器,其特征在于,包括14个相同的双边沿C2MOS触发器,1个四输入的异或门XNOR和1个nmos置位开关;14个相同的双边沿C2MOS触发器分别记作双边沿C2MOS触发器C0、双边沿C2MOS触发器C1、双边沿C2MOS触发器C2、双边沿C2MOS触发器C3、双边沿C2MOS触发器C4、双边沿C2MOS触发器C5、双边沿C2MOS触发器C6、双边沿C2MOS触发器C7、双边沿C2MOS触发器C8、双边沿C2MOS触发器C9、双边沿C2MOS触发器C10、双边沿C2MOS触发器C11、双边沿C2MOS触发器C12和双边沿C2MOS触发器C13;所述nmos置位开关的源极是输入控制端口VS,所述nmos置位开关的栅极是输入控制端口VG,所述nmos置位开关的衬底与地VSS相连;所述nmos置位开关的漏极与所述双边沿C2MOS触发器C0的输入端D相连;所述双边沿C2MOS触发器C0的输出端Q与所述双边沿C2MOS触发器C1的输入端D相连,所述双边沿C2MOS触发器C1的输出端Q与所述双边沿C2MOS触发器C2的输入端D相连,所述双边沿C2MOS触发器C2的输出端Q与所述双边沿C2MOS触发器C3的输入端D相连,所述双边沿C2MOS触发器C3的输出端Q与所述双边沿C2MOS触发器C4的输入端D相连,所述双边沿C2MOS触发器C4的输出端Q与所述双边沿C2MOS触发器C5的输入端D相连,所述双边沿C2MOS触发器C5的输出端Q与所述双边沿C2MOS触发器C6的输入端D相连,所述双边沿C2MOS触发器C6的输出端Q与所述双边沿C2MOS触发器C7的输入端D相连,所述双边沿C2MOS触发器C7的输出端Q与所述双边沿C2MOS触发器C8的输入端D相连,所述双边沿C2MOS触发器C8的输出端Q与所述双边沿C2MOS触发器C9的输入端D相连,所述双边沿C2MOS触发器C9的输出端Q与所述双边沿C2MOS触发器C10的输入端D相连,所述双边沿C2MOS触发器C10的输出端Q与所述双边沿C2MOS触发器C11的输入端D相连,所述双边沿C2MOS触发器C11的输出端Q与所述双边沿C2MOS触发器C12的输入端D相连,所述双边沿C2MOS触发器C12的输出端Q与所述双边沿C2MOS触发器C13的输入端D相连;所述双边沿C2MOS触发器C13的输出端与所述异或门XNOR的输入端A相连,所述双边沿C2MOS触发器C12的输出端与所述异或门XNOR的输入端B相连,所述双边沿C2MOS触发器C10的输出端与所述异或门XNOR的输入端C相连,所述双边沿C2MOS触发器C8的输出端与所述异或门XNOR的输入端D相连;所述异或门XNOR的输出端Q与所述双边沿C2MOS触发器C0的输入端D相连;14个双边沿C2MOS触发器C0~C13的输入端CLK均相连在一起;14个双边沿C2MOS触发器C0~C13的输入端CLKN均相连在一起;每个双边沿C2MOS触发器的内部结构及各器件之间的连接关系如下:每个双边沿C2MOS触发器包括7个pmos管和7个nmos管,7个pmos管分别记作pmos管P1、pmos管P2、pmos管P3、pmos管P4、pmos管P5、pmos管P6和pmos管P7;7个nmos管分别记作nmos管N1、nmos管N2、nmos管N3、nmos管N4、nmos管N5、nmos管N6和nmos管N7;所述pmos管P1、pmos管P2和pmos管P6的源极均与VDD相连;所述nmos管N3、nmos管N4和nmos管N7的源极均与VSS相连;所述pmos管P1、pmos管P2、pmos管P3、pmos管P4、pmos管P6和pmos管P7的衬底均与VDD相连;所述nmos管N1、nmos管N2、nmos管N3、nmos管N4、nmos管N6和nmos管N7的衬底均与VSS相连;所述pmos管P1的漏极、所述pmos管P3的源极和所述pmos管P5的源极均相连,所述pmos管P2的漏极与所述pmos管P4的源极相连,所述pmos管P3的漏极与所述nmos管N1的漏极相连,所述pmos管P4的漏极与所述nmos管N2的漏极相连,所述nmos管N1的源极、所述nmos管N3的漏极和所述nmos管N5的源极均相连,所述nmos管N2的源极与所述nmos管N4的漏极相连;所述pmos管P5的衬底与其源极相连,所述pmos管P5的漏极与所述nmos管N5的漏极相连,所述nmos管N5的衬底与其源极相连;所述pmos管P6的漏极与所述pmos管P7的源极相连,所述pmos管P7的漏极与所述nmos管N6的漏极相连,所述nmos管N6的源极与所述nmos管N7的漏极相连;所述pmos管P3的漏极与所述pmos管P2的栅极、所述nmos管N4的栅极相连,所述pmos管P5的漏极与所述pmos管P6的栅极、所述nmos管N7的栅极相连,所述pmos管P4的漏极、所述nmos管N2的漏极、所述pmos管P7的漏极和所述nmos管N6的漏极均相连,所述pmos管P1的栅极和所述nmos管N3的栅极相连;所述pmos管P3、pmos管P7的栅极、所述nmos管N2、nmos管N5的栅极均相连;所述pmos管P4、pmos管P5的栅极、所述nmos管N1、nmos管N6的栅极均相连;所述异或门XNOR的内部结构及各器件之间的连接关系如下:所述异或门XNOR包括8个pmos管和8个nmos管,8个pmos管分别记作pmos管P11、pmos管P12、pmos管P13、pmos管P14、pmos管P15、pmos管P16、pmos管P17和pmos管P18,8个nmos管分别记作nmos管N11、nmos管N12、nmos管N13、nmos管N14、nmos管N15、nmos管N16、nmos管N17和nmos管N18;所述pmos管P11、P12、P13、P14的源极和所述pmos管P11~P18的衬底均与VDD相连,所述nmos管N14、N18的源极和所述nmos管N11~N18的衬底均与VSS相连;所述pmos管P11~P14的漏极与所述pmos管P15~P18的源极均相连,所述pmos管的P15~P18的漏极与所述nmos管N11、N15的漏极均相连;所述nmos管N11的源极与所述nmos管N12的漏极相连,所述nmos管N12的源极与所述nmos管N13的漏极相连,所述nmos管N13的源极与所述nmos管N14的漏极相连,所述nmos管N15的源极与所述nmos管N16的漏极相连,所述nmos管N16的源极与所述nmos管N17的漏极相连,所述nmos管N17的源极与所述nmos管N18的漏极相连;所述pmos管P11的栅极与所述nmos管N15的栅极相连,所述pmos管P12的栅极与所述nmos管N16的栅极相连,所述pmos管P13的栅极与所述nmos管N17的栅极相连,所述pmos管P14的栅极与所述nmos管N18的栅极相连,所述pmos管P15的栅极与所述nmos管N11的栅极相连,所述pmos管P16的栅极与所述nmos管N12的栅极相连,所述pmos管P17的栅极与所述nmos管N13的栅极相连,所述pmos管P18的栅极与所述nmos管N14的栅极相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610526986.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。