[发明专利]具有ESD保护功能的LDMOS器件及其版图

摘要

本发明提供一种具有ESD保护功能的LDMOS器件及其版图，本发明的LDMOS器件，通过在漏区的深N阱中增加一较浅的N阱注入区，在源区的深P阱中增加一较浅的P阱注入区,大大提高了LDMOS器件的保持电压和对应的保持电流，能更加有效避免闩锁效应发生，从而在LDMOS器件进入骤回状态前即可释放ESD电流，从而具有较高的静电放电能力；本发明的LDMOS器件版图，在其漏区版图层上方增加一层N阱注入区，在源区版图层上方增加一层P阱注入区，无需额外的掩膜版即可实现深P阱和深N阱以及N阱注入区、P阱注入区的离子注入，可与业界常用的CMOS BCD工艺实现工艺兼容。

主权项

一种具有ESD保护功能的LDMOS器件，包括沿横向设置有第一深P阱和深N阱的P型衬底；所述第一深P阱表面沿横向设置有第一P+注入区和第一N+注入区，第一P+注入区和第一N+注入区通过第一隔离结构隔离开来，且所述第一N+注入区作为LDMOS器件的第一源区；所述深N阱表面设置有第二N+注入区，所述第二N+注入区作为LDMOS器件的漏区，与所述第一N+注入区通过第二隔离结构隔离开来，其特征在于，在所述第一深P阱中设有一比所述第一深P阱浅的第一P阱注入区，所述第一隔离结构和第一N+注入区位于所述第一P阱注入区中，在所述深N阱中设有一比所述深N阱浅的N阱注入区，所述第二隔离结构和第二N+注入区位于所述N阱注入区中，所述第一P阱注入区和N阱注入区之间的P型衬底上方覆盖有一第一多晶硅栅极，所述第一多晶硅栅极、第一N+注入区和第一P+注入区均接入一第一接口端，所述第二N+注入区接入一第二接口端。