[发明专利]SiGeC应力引入的直接带隙Ge沟道CMOS集成器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610487256.9 申请日: 2016-06-28
公开(公告)号: CN107546176B 公开(公告)日: 2019-12-31
发明(设计)人: 蔡丽莹;宋建军;黄云霞;胡辉勇;宣荣喜;张鹤鸣 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L21/8238 分类号: H01L21/8238;H01L27/092
代理公司: 61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 刘长春
地址: 710071 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种SiGeC应力引入的直接带隙Ge沟道CMOS集成器件及其制备方法。该制备方法包括:选取单晶Si衬底;在第一温度下生长第一Ge层;在第二温度下生长第二Ge层;连续生长栅介质层和栅极层,选择性刻蚀工艺刻蚀栅介质层和栅极层形成栅极;在栅极表面形成栅极保护层;刻蚀第二Ge层在PMOS和NMOS栅极位置处形成Ge台阶;采用外延工艺在第二Ge层表面生长Si
搜索关键词: sigec 应力 引入 直接 ge 沟道 cmos 集成 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种SiGeC应力引入的直接带隙Ge沟道CMOS集成器件的制备方法,其特征在于,包括:/nS101、选取单晶(001)Si衬底;/nS102、在275℃~325℃下在所述单晶Si衬底上外延生长厚度为50nm第一Ge层,以避免晶体质量损失;/nS103、在500℃~600℃下,在所述第一Ge层上生长厚度为900~950nm的第二Ge层;/nS104、在750℃~850℃下,在H
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