[发明专利]测试三英寸扩散硅片表面镀镍厚度方法无效
申请号: | 201610462886.0 | 申请日: | 2016-06-23 |
公开(公告)号: | CN106340465A | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | 郭忠泉 | 申请(专利权)人: | 南通联恒新材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;C23C18/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 226500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了电子元器件制造领域的一种新型测试三英寸扩散硅片表面镀镍厚度方法。通过改变现有测试镍层厚度的流程,在正式镀镍之前从花篮中抽取一片样片,甩干处理后,在分析天平上称重,然后将该样片放入花篮中原有位置,按正常工艺进行化学镀镍,镀镍完毕清洗甩干后再取出样片,再次在分析天平上进行称重,求出两次差重,最后折算成镍层厚度。本发明与现有技术相比具有测试准确直观和降低生产成本等优点。 | ||
搜索关键词: | 测试 英寸 扩散 硅片 表面 厚度 方法 | ||
【主权项】:
一种测试三英寸扩散硅片表面镀镍厚度方法,其特征在于:测试方法步骤如下:1)将脱脂清洗后的三英寸扩散硅片装入塑料花篮,每花篮放置25片;2)将装好硅片的花篮放置在氢氟酸槽内处理60±2s;3)花篮移进氢氧化钾槽处理60±2s,氢氧化钾浓度为20±0.5%、处理液温度为65±2℃;4)花篮置于纯水中清洗60±2s,手动上下摆动,从花篮中间位置抽取一片硅片作为测试镍厚样片,样片放于专用花篮上置于甩干机内进行甩干处理,甩干机转速800次/分,甩干时间180s;5)取出样片,用分析天平进行称重,记录数据为“镀镍前重量”(W1),所抽样片放入原花篮对应位置进行后续镀镍;6)确认镀镍液温度为72±2℃,然后将花篮的把手安放在镀镍液槽上方机械臂上,打开机械臂开关使花篮在镍液中上下摆动(硅片须完全浸没于镍液中),摆动速度100次±10次/分,镀镍时间240±10s;7)镀镍结束后,立即将花篮从机械臂上卸下,将花篮放入三级纯水槽浸洗,每级浸洗时间30s;8)取出花篮,放入甩干机中进行甩干干燥,甩干机转速800次/分,甩干时间180s;9)镀镍厚度检查测试:从花篮中取出样片,用分析天平进行称重,记录数据为“镀镍后重量”(W2),计算镀镍前后的差重(镍层净增重),换算成镍层厚度,镍层厚度=(W2‑W1)×A , (A=0.08075)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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