[发明专利]双栅电极氧化物薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610423845.0 | 申请日： | 2016-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN106098786A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 谢应涛 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;侯艺 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双栅电极氧化物薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管包括基板；形成于基板上方的底栅电极；形成于底栅电极上方的第一栅极绝缘层；形成于第一栅极绝缘层上方的半导体层；形成于半导体层上方的第二栅极绝缘层；形成于第二栅极绝缘层上方的顶栅电极；双栅电极氧化物薄膜晶体管还包括数据线，数据线与底栅电极或者数据线与顶栅电极处于同一金属层。上述薄膜晶体管的制备方法中，将数据线与底栅(或顶栅)电极共用同一金属层，且一次光刻实现图形化处理，从而减少光罩数量的使用，降低生产成本。另外，由于最终制得薄膜晶体管为双栅电极结构，能够增强薄膜晶体管的稳定性、提高其响应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双栅电极氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述双栅电极氧化物薄膜晶体管包括：基板；形成于所述基板上方的底栅电极；形成于所述底栅电极上方的第一栅极绝缘层；形成于所述第一栅极绝缘层上方的半导体层；形成于所述半导体成上方的第二栅极绝缘层；形成于所述第二栅极绝缘层上方的顶栅电极；所述双栅电极氧化物薄膜晶体管还包括数据线，所述数据线与所述底栅电极或者所述数据线与所述顶栅电极处于同一金属层。
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