[发明专利]一种P型单晶硅片及其制造方法有效
| 申请号： | 201610364921.5 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105970284B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 沈思情;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 201604 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种由切克劳斯基法（CZ法）所生长的P型单晶硅片及其制造方法，获得的硅片电阻率高、电阻率轴向均匀性好且电阻率变化较小。硅片制造方法包括：主掺杂物硼与多晶硅原料同时加入到石英坩埚中进行升温，主掺杂物硼浓度介于1.7E14 atoms/cm3与2.5E14 atoms/cm3之间，副掺杂物磷通过硅‑磷合金形式在晶体等径生长过程中单次或多次加入，且需控制磷与硼的在晶体中的浓度比在1/8到1/3范围内。所获得的硅片电阻率值高，不低于58Ω.cm；电阻率变化较小，可精确控制在15%以内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种P型单晶硅晶片的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：采用切克劳斯基法制备单晶硅晶体，采用两种掺杂元素，分别为主掺杂元素和副掺杂元素，其中，所述的主掺杂元素为硼，所述主掺杂元素与多晶硅原料同时加入到石英坩埚中进行升温；所述副掺杂元素为磷，在晶体生长过程中加入到熔体中；所述磷通过Si‑P合金的形式加入；所述磷与硼的浓度比为1/8‑1/3。
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