[发明专利]一种LED晶圆的紫外激光表面切割方法有效
申请号: | 201610362405.9 | 申请日: | 2016-05-26 |
公开(公告)号: | CN107437532B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 王焱华;何俊;庄昌辉;李福海;张红江;曾威;朱炜;尹建刚;高云峰 | 申请(专利权)人: | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B28D5/00;B23K26/364;B23K26/60;B23K26/16 |
代理公司: | 深圳市世联合知识产权代理有限公司 44385 | 代理人: | 汪琳琳 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及激光加工技术领域,公开了一种LED晶圆的紫外激光表面切割方法,首先将晶圆片平放在载台上;用储存胶水的容器移至晶圆片上方,并喷出胶水滴到晶圆片上;然后启动载台使其高速旋转,甩干晶圆片上的胶水并使胶水平铺在晶圆片的表面;采用多光点激光装置发出激光光束,并在晶圆片的激光入射面形成多光点聚焦,激光切割晶圆片;清洗晶圆片上的胶水,通过喷水装置喷水到晶圆片的激光入射面,同时旋转载台以去除晶圆片上的胶水;加工完成,晶圆片分离成芯粒。本发明能够解决现有的红黄光LED晶圆效率慢、加工效果有待提升等问题,使加工效率大幅提升,加工效果更加优良,表面切割线条更加均匀,且无熔渣、飞溅物、烧蚀等现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 led 紫外 激光 表面 切割 方法 | ||
【主权项】:
一种LED晶圆的紫外激光表面切割方法,其特征在于:该切割方法具体包括如下:步骤S1:将晶圆片(9)平放在载台(10)上;步骤S2:储存胶水的容器(13)移至晶圆片(9)上方,并喷出胶水滴(14)到晶圆片(9)上;步骤S3:启动载台(10)使其高速旋转,甩干晶圆片(9)上的胶水并使胶水平铺在晶圆片(9)的表面;步骤S4:采用多光点激光装置发出激光光束,并在晶圆片(9)的激光入射面形成多光点聚焦,激光切割晶圆片(9);步骤S5:清洗晶圆片(9)上的胶水,通过喷水装置(15)喷水到晶圆片(9)的激光入射面,同时旋转载台(10)以去除晶圆片(9)上的胶水;步骤S6:加工完成,晶圆片(9)分离形成芯粒(16)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造