[发明专利]一种LED晶圆的紫外激光表面切割方法

权利要求书

1.一种LED晶圆的紫外激光表面切割方法，其特征在于：该切割方法具体包括如下：

步骤S1：将晶圆片(9)平放在载台(10)上；

步骤S2：储存胶水的容器(13)移至晶圆片(9)上方，并喷出胶水滴(14)到晶圆片(9)上；

步骤S3：启动载台(10)使其高速旋转，甩干晶圆片(9)上的胶水并使胶水平铺在晶圆片(9)的表面；

步骤S4：采用多光点激光装置发出激光光束，并在晶圆片(9)的激光入射面形成多光点聚焦，激光切割晶圆片(9)；

步骤S5：清洗晶圆片(9)上的胶水，通过喷水装置(15)喷水到晶圆片(9)的激光入射面，同时旋转载台(10)以去除晶圆片(9)上的胶水；

步骤S6：加工完成，晶圆片(9)分离形成芯粒(16)。

2.根据权利要求1所述的LED晶圆的紫外激光表面切割方法，其特征在于：所述多光点激光装置包括激光器(1)、光闸(2)、第一45度反射镜(3)、第二45度反射镜(4)、扩束镜(5)、第三45度反射镜(6)、衍射光学元器件(7)和聚焦镜(8)；

所述激光器(1)发射出激光光束，所述激光光束经过光闸(2)后，通过第一45度反射镜(3)和第二45度反射镜(4)进行反射后，经过扩束镜(5)改变发散角度，之后经过第三45度反射镜(6)也进行反射后，进入衍射光学元器件(7)分束成多光束，多光束通过聚焦镜(8)并在晶圆片(9)的表面形成多光点聚焦，从而切割晶圆片(9)。

3.根据权利要求2所述的LED晶圆的紫外激光表面切割方法，其特征在于：所述激光器(1)为紫外激光器，激光器(1)的波长是355nm，为脉冲激光，激光光束的偏振态为线偏振，偏振比大于50:1，脉冲宽度范围是0.1～100ns，激光的频率范围是50-500kHz，单点能量范围是1-200μJ，加工LED晶圆的速度能够到达200-450mm/s。

4.根据权利要求2或3所述的LED晶圆的紫外激光表面切割方法，其特征在于：所述晶圆片(9)平放在载台(10)上，第三45度反射镜(6)、衍射光学元器件(7)和聚焦镜(8)依次由上至下同轴位于晶圆片(9)的上方；第二45度反射镜(4)和扩束镜(5)沿水平方向同轴位于第三45度反射镜(6)的一侧，激光器(1)、光闸(2)和第一45度反射镜(3)也沿水平方向由左至右依次设置，第一45度反射镜(3)同轴位于第二45度反射镜(4)的上方。

5.根据权利要求1所述的LED晶圆的紫外激光表面切割方法，其特征在于：所述晶圆片(9)的激光入射面为其发光区或背面的硅衬底。