[发明专利]半导体硅晶片的表面钝化方法有效
| 申请号： | 201610313607.4 | 申请日： | 2016-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN105931958A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 郏金鹏;陈诚;王平;王峰;张各海;袁超;张凌鹓 | 申请（专利权）人： | 江苏佑风微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 何学成 |
| 地址： | 213000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子加工技术领域，特别是涉及一种半导体硅晶片表面钝化方法，包括以下步骤：(1)选用P型硅作衬底，经制绒抛光，杂质源扩散制成上、下表面均具有PN结的硅晶片；(2)将硅晶片用腐蚀液腐蚀出若干沟槽；(3)将硅晶片光刻保护至只有沟槽裸露；(4)将硅晶片置于密闭的氧化炉内，向氧化炉内通入高纯氧，直至所有沟槽的外表面均形成一层厚度为10000～15000埃的氧化保护膜。本发明可以将硅晶片暴露在高纯氧中，在沟槽外表面生长的氧化膜结构致密、均匀性好、重复性好、掩蔽能力强且钝化效果较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 表面 钝化 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体硅晶片表面钝化方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)选用P型硅作衬底，经制绒抛光，杂质源扩散制成上、下表面均具有PN结的硅晶片；(2)将步骤(1)所述的硅晶片用腐蚀液腐蚀出若干沟槽；(3)将步骤(2)所得的硅晶片光刻保护至只有沟槽裸露；(4)将步骤(3)所得的硅晶片置于密闭的高温氧化炉内，向高温氧化炉内通入高纯氧，直至所有沟槽的外表面均形成一层厚度为10000～15000埃的氧化保护膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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