[发明专利]一种碳化硅表面微结构白光发光图案的加工方法有效
申请号: | 201610312525.8 | 申请日: | 2016-05-11 |
公开(公告)号: | CN105931953B | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 季凌飞;王思聪;吴燕;胡莉婷;闫胤洲;蒋毅坚 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268 |
代理公司: | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人: | 陈圣清 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种碳化硅表面微结构白光发光图案的加工方法,该方法包括:使用皮秒激光对原材料进行扫描辐照,得到具有特定波纹状表面微结构图案;再使用紫外光辐照微结构图案获得激发的白光发光。本发明的有益效果为:激光能量、离焦量和扫描次数等参数的组合可以实现对SiC表面白光发光图案发光光谱较高的可控性,能在一定范围内对其发光光谱进行调制,实现接近太阳光的白光发光;采用编程语言及脚本语言,如VBScript脚本程序设计激光直写扫描路径,实现任意指定图案的激光直写,控制制备白光发光图案的形状;使用的激光扫描系统可对加工图案进行精确定位,且扫描速度可达2000mm/s,便于进行批量、大面积的加工。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 表面 微结构 白光 发光 图案 加工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种碳化硅表面微结构白光发光图案的加工方法,其特征在于,该方法包括:步骤101:使用皮秒激光对原材料进行扫描辐照,得到具有特定波纹状表面微结构图案,所述皮秒激光的脉冲宽度小于等于10ps;所述微结构图案的特征为准周期性波纹状,其周期为10~120μm,波纹高度为10~120μm;步骤102:再使用紫外光辐照微结构图案获得激发的白光发光;其中,所述步骤101包括:步骤1011,原材料为碳化硅单晶基片,将其浸入去离子水浸泡超声清洗5~10分钟,使用气压为2bar的压缩空气吹干,置于干燥器中备用;步骤1012,启动计算机、高精度工作平台、激光器及其控制系统,使用VBScript脚本程序对任意指定图案进行直线填充:填充区域覆盖指定图案内的各单连通区域或复连通区域,填充方式是使用VBScript脚本程序编译的图像输出命令设定填充起始位置,从连通区域边界划竖直直线到另一端边界为止,使填充线段边缘包含连通区域的所有边界,相邻填充线段间的间隔相等;使用VBScript脚本程序编译的输出命令将各填充线段起始坐标位置输出为G代码,供激光扫描系统在扫描时调用;设定填充线间隔为10~100μm,激光扫描路径为填充图案的单向直线;步骤1013,将样品固定于高精度工作平台,设置激光焦点为样品表面以上2.5~3mm,定位激光扫描区域,固定工作台,使用激光器为波长为1064nm的皮秒激光器,沿步骤1012中设定之路径进行激光扫描,激光扫描速度为500~2000mm/s;步骤1014,将步骤1013中激光直写扫描后的碳化硅样品浸入去离子水中浸泡超声清洗5~10分钟,烘干后,得到具有白光发光性质的碳化硅微结构白光发光图案;所述步骤1013中,所述皮秒激光器的单脉冲能量为40~120μJ;重复频率为200~500kHz,离焦量为+2.5~3mm;所述激光扫描图案填充线间隔为10~100μm;所述激光扫描速度为500~2000mm/s,单一直线单向扫描次数为80~500次。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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