[发明专利]消除多晶硅残留的方法有效
| 申请号： | 201610307725.4 | 申请日： | 2016-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN105931957B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 吴继科;王立斌;曹秀亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种消除多晶硅残留的方法，包括：在衬底中形成沟槽，并且在衬底表面以及沟槽底部及侧壁上形成氧化物层；沉积多晶硅层，而且所述多晶硅层填充了沟槽；对所述多晶硅层进行化学机械研磨处理以形成减薄的多晶硅层；执行预清洗以清洗硅片表面；对硅片进行退火，使得所述多晶硅层表面氧化生成二氧化硅层；去除所述多晶硅层表面的二氧化硅层；去除硅片表面剩余的多晶硅，仅剩下沟槽内的全部或部分多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 多晶 残留 方法 | ||
【主权项】：
1.一种消除多晶硅残留的方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底中形成沟槽，并且在衬底表面以及沟槽底部及侧壁上形成氧化物层；第二步骤：沉积多晶硅层，而且所述多晶硅层填充了沟槽；第三步骤：对所述多晶硅层进行化学机械研磨处理以形成减薄的多晶硅层；第四步骤：执行预清洗以清洗硅片表面；第五步骤：对硅片进行退火，使得所述多晶硅层表面氧化生成二氧化硅层；第六步骤：去除所述多晶硅层表面的二氧化硅层；第七步骤：去除硅片表面剩余的多晶硅，仅剩下沟槽内的全部或部分多晶硅；其中，对硅片进行退火以去除所述多晶硅层表面的碳基缺陷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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