[发明专利]一种自对准双重图形化的方法

摘要

本发明公开了一种自对准双重图形化的方法。该方法包括：提供待刻蚀材料层，在待刻蚀材料层上依次形成牺牲层、牺牲层保护层和光刻胶层；对光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶层图案，刻蚀牺牲层保护层和牺牲层形成牺牲层保护层图案和第一牺牲层图案；去除光刻胶层图案露出牺牲层保护层图案；刻蚀第一牺牲层图案形成第二牺牲层图案；去除牺牲层保护层图案，露出第二牺牲层图案；在待刻蚀材料层和第二牺牲层图案表面形成掩膜层；对掩膜层进行回刻蚀，形成侧墙；去除第二牺牲层图案；以侧墙作为掩膜，对待刻蚀材料层进行刻蚀。本发明提供的技术方案实现了改善侧墙的形貌，并以此侧墙为掩膜刻蚀待刻蚀材料层，消除了奇偶效应，降低工艺控制难度。

主权项

一种自对准双重图形化的方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀材料层，在所述待刻蚀材料层上依次形成牺牲层、牺牲层保护层和光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶层图案，以所述光刻胶层图案为掩膜，对所述牺牲层保护层和牺牲层进行刻蚀，形成牺牲层保护层图案和第一牺牲层图案；去除所述光刻胶层图案，露出所述牺牲层保护层图案；刻蚀所述第一牺牲层图案，形成第二牺牲层图案；去除所述第二牺牲层图案表面上的牺牲层保护层图案，露出所述第二牺牲层图案；在所述待刻蚀材料层和所述第二牺牲层图案表面形成掩膜层；对所述掩膜层进行回刻蚀，直到暴露出所述待刻蚀材料层表面和所述第二牺牲层图案顶部表面，形成侧墙；去除所述第二牺牲层图案；以所述侧墙作为掩膜，对所述待刻蚀材料层进行刻蚀。