[发明专利]半导体晶棒熔炼拉晶装置和熔炼拉晶的方法在审
| 申请号： | 201610302456.2 | 申请日： | 2016-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN105887184A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 陈磊;陈建民;赵丽萍;钱俊有;张文涛;蔡水占;张会超;王东胜 | 申请（专利权）人： | 河南鸿昌电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 461500 河南省许昌*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体致冷件的原材料—晶棒的生产技术领域，名称是半导体晶棒熔炼拉晶装置和熔炼拉晶的方法，半导体晶棒熔炼拉晶装置，包括机座，在机座上具有可以升降的主立杆，主立杆和机座上有拉晶管的固定夹具，在机座上还有副立杆，副立杆上有升降动力装置，升降动力装置连接电磁加热线圈，电磁加热线圈内部具有套接在拉晶管外面的结构，在所述的电磁加热线圈内部和盛装拉晶管外面还安装有不锈钢套管；半导体晶棒熔炼拉晶的方法，它包括以下步骤：a、将三碲化二铋原材料放置在拉晶管中；b、将步骤1中的产品放置在不锈钢管中；c、将步骤b中的产品放置在电磁圈的环境中加热拉晶，温度是680‑720℃，时间是180‑200S，可以得到拉晶的产品。可以得到受热更均匀、品质更好的晶棒。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 熔炼 装置 方法 | ||
【主权项】：
半导体晶棒熔炼拉晶装置，包括机座，在机座上具有可以升降的主立杆，主立杆和机座上有拉晶管的固定夹具，其特征是：在机座上还有副立杆，副立杆上有升降动力装置，升降动力装置连接电磁加热线圈，电磁加热线圈内部具有套接在拉晶管外面的结构，在所述的电磁加热线圈内部和盛装拉晶管外面还安装有不锈钢套管。
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