[发明专利]X射线探测器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种X射线探测器及其制作方法。所述探测器为垂直型结构，包括自支撑氮化镓衬底，该自支撑氮化镓衬底的镓面和氮极性面分别形成有电极结构，位于镓面的所述电极结构的边缘形成有钝化层；并且所述自支撑氮化镓衬底的电阻率大于108Ωcm，和/或，所述自支撑氮化镓衬底的位错密度小于106cm‑2，和/或，所述自支撑氮化镓衬底的厚度大于350微米。本发明使用电阻率在108Ωcm以上的氮化镓衬底，使得漏电流达到一个较低的水平；使用垂直型结构，使得器件能探测更高强度的X射线，避免探测器达到饱和；使用边缘钝化层及场板，使得能耐加更大的偏压，提高灵敏度，防止器件击穿；以及使用350微米以上厚度的衬底，使得对高能量的X射线也有较好的响应。

主权项

一种X射线探测器，其特征在于所述X射线探测器为垂直型结构，包括自支撑氮化镓衬底，该自支撑氮化镓衬底的镓面和氮极性面分别形成有电极结构，位于镓面的所述电极结构的边缘形成有钝化层；并且，所述自支撑氮化镓衬底的电阻率大于108Ωcm，和/或，所述自支撑氮化镓衬底的位错密度小于106cm‑2，和/或，所述自支撑氮化镓衬底的厚度大于350微米。