[发明专利]基座、气相生长装置、气相生长方法及外延硅晶片

摘要

本发明提供一种圆板状的基座（4），该基座（4）形成为，在基座（4）的上表面（41）上，沿该基座（4）的周向排列设置有收纳晶片（W）的多个凹部（43），基座（4）的中央相对于外缘向下表面（42）侧凹陷。

主权项

1.一种基座，用来在气相生长装置内载置晶片，呈圆板状，其特征在于，前述基座的厚度是均匀的，前述基座形成为，在前述基座的上表面上沿该基座的周向排列设置有收纳前述晶片的多个凹部，在使用前述气相生长装置的气相生长时，前述基座的中央相对于外缘向该基座的下表面侧凹陷，进而将前述基座的直径设为D1，将前述上表面上的前述基座的前述中央相对于前述外缘的凹陷量设为D2，D2/D1大于0%小于0.3%，前述凹部的底面的表面粗糙度Ra大于0.5μm且小于16μm。