[发明专利]制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201610203484.9 | 申请日： | 2016-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN106055725B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 金夏永;金珍泰;徐在禹;许东渊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;王占杰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种制造半导体装置的方法，所述制造半导体装置的方法包括：提供用于形成相邻的第一逻辑单元和第二逻辑单元以及相邻的虚设单元和第三逻辑单元的前导电线和后导电线。来自第一逻辑单元的导电线之中的与第二逻辑单元相邻的第一导电线与来自第二逻辑单元的导电线之中的与第一逻辑单元相邻的第二导电线分隔开第一参考距离。来自虚设单元的导电线之中的与第三逻辑单元相邻的虚设线与来自第三逻辑单元的导电线之中的与虚设单元相邻的第三导电线分隔开第二参考距离。第二参考距离大于第一参考距离。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：设置用于形成第一逻辑单元、第二逻辑单元、虚设单元和第三逻辑单元的前导电线和后导电线，第一逻辑单元和第二逻辑单元彼此相邻，虚设单元和第三逻辑单元彼此相邻，其中，来自第一逻辑单元的导电线之中的与第二逻辑单元相邻的第一导电线与来自第二逻辑单元的导电线之中的与第一逻辑单元相邻的第二导电线分隔开第一参考距离，其中，来自虚设单元的导电线之中的与第三逻辑单元相邻的虚设线与来自第三逻辑单元的导电线之中的与虚设单元相邻的第三导电线分隔开第二参考距离，并且其中，第二参考距离大于第一参考距离。
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