[发明专利]一种切割式多圈QFN/DFN封装件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610190725.0 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105789151A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 郭玲芝;吕海兰;李万霞 | 申请（专利权）人： | 华天科技（西安）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710018 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种切割式多圈QFN/DFN封装件及其制造方法，所述封装件主要由多圈框架、镀银层、芯片、焊线、塑封体和镀锡层组成；所述多圈框架下部有镀锡层，从镀锡层侧向多圈框架内部有切割槽，切割槽与凹槽贯通。所述方法如下：上芯、压焊、塑封、电镀、半切割。本发明具有成本低、污染小的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 切割 式多圈 qfn dfn 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种切割式多圈QFN/DFN封装件，其特征在于，主要由多圈框架（1）、镀银层（2）、芯片（3）、焊线（4）、塑封体(5)和镀锡层(6)组成；所述多圈框架(1)上部有镀银层(2)，所述从镀银层(2)侧向多圈框架(1)内部有凹槽（7），芯片（3）与多圈框架（1）连接，焊线（4）连接芯片（3）和镀银层（2），塑封体（5）包裹镀银层（2）、芯片（3）、焊线（4）、多圈框架（1）的上部，填充凹槽（7）；所述多圈框架（1）下部有镀锡层（6），从镀锡层（6）侧向多圈框架（1）内部有切割槽（8），切割槽(8)与凹槽(7)贯通。
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