[发明专利]一种PN结辅助触发SCR-LDMOS结构的高压ESD保护器件

摘要

本发明公开了一种PN结辅助触发SCR‑LDMOS结构的高压ESD保护器件，包括P型硅衬底，所述P型硅衬底上设有埋氧层，埋氧层上设有漂移区，漂移区的上方从左到右依次设有N‑buffer区、P区、P‑body区；所述N‑buffer区中从左到右依次设有第一漏极重掺杂N+区和第一漏极重掺杂P+区；所述P‑body区中从左到右依次设有第二源极重掺杂N+区、第二源极重掺杂P+区及第三源极重掺杂P+区，P区和第二源极重掺杂P+区通过导线相连。当ESD保护器件的漏极受到正向ESD脉冲后，利用反偏PN结来辅助提高触发开启前的空穴载流子浓度，降低了触发电压V_t1。并且器件引入的反偏PN结可有效抑制寄生SCR的正反馈作用，从而有效提高器件的维持电压V_h，避免器件发生闩锁效应。

主权项

一种PN结辅助触发SCR‑LDMOS结构的高压ESD保护器件，其特征在于，包括P型硅衬底，所述P型硅衬底上设有埋氧层，埋氧层上设有漂移区，漂移区的上方从左到右依次设有N‑buffer区、P区、P‑body区；所述N‑buffer区中从左到右依次设有第一漏极重掺杂N+区和第一漏极重掺杂P+区；所述P‑body区中从左到右依次设有第二源极重掺杂N+区、第二源极重掺杂P+区及第三源极重掺杂P+区；第一漏极重掺杂P+区和P区之间设有第一薄氧化层，P区和P‑body区之间设有第二薄氧化层，第二源极重掺杂N+区和第二源极重掺杂P+区之间设有第三薄氧化层，第二源极重掺杂P+区和第三源极重掺杂P+区之间设有第四薄氧化层；P‑body区完全包覆第二源极重掺杂N+区，即使形成沟道区，沟道区的上方设有多晶硅栅极，且多晶硅栅极延伸至第二薄氧化层的上表面；第一漏极重掺杂N+区和第一漏极重掺杂P+区通过导线相连；P区和第二源极重掺杂P+区通过导线相连；多晶硅栅极、第二源极重掺杂N+区、第三源极重掺杂P+区均接地。