[发明专利]一种降低器件漏电流的方法

摘要

本发明提供了一种降低器件漏电流的方法，采用与硅衬底呈一定倾斜角度的离子注入方式，将不具有导电性的中性离子注入到栅极侧墙的底部，由于这些注入的离子原子量很小，通过离子注入的方式到达侧墙下方的硅衬底内部之后，在之后的金属化过程中，金属原子向CMOS沟道扩散的时候会受到这些注入离子的阻碍。由于注入的离子元素的密度高，且其尺寸比金属原子小，而金属原子的尺寸较大，当金属原子遇到这种密度高且尺寸小的注入离子元素时，金属原子的扩散速度和横向扩散量将大幅降低。因此，相对于传统工艺，本发明的额外增加不导电的中性离子注入的方式可以很好的抑制金属原子的横向扩散，从而降低CMOS器件的漏电流。

主权项

一种降低器件漏电流的方法，其特征在于，包括：步骤01：提供一硅衬底，所述硅衬底具有栅极、栅极侧墙、栅极底部的栅氧层、位于栅极两侧底部的源漏区、以及位于栅极下方的沟道区域；步骤02：采用倾斜离子注入方式将不具有导电性的中性元素注入到栅极侧墙下方的硅衬底中，从而在栅极侧墙底部的硅衬底中形成中性元素阻挡区；步骤03：在硅衬底上沉积金属层；步骤04：经退火工艺，使得栅极顶部和源漏区顶部的硅原子与金属层中的金属原子结合，从而在栅极顶部和源漏区顶部形成金属硅化物区；其中，在金属层中的金属原子向源漏区内扩散时，中性元素阻挡区阻碍金属原子向沟道区域的扩散，使得所述源漏区的所述金属硅化物区与所述中性元素阻挡区的交界于所述栅极侧墙下方；步骤05：去除完成步骤04的硅衬底的表面的金属层，并再进行退火工艺完成金属硅化过程。