[发明专利]一种边发射半导体激光器腔面的再生方法有效
| 申请号： | 201610172695.0 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN105742957B | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 王亚楠;李耀耀;王庶民;曹春芳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种边发射半导体激光器腔面的再生方法，包括：(1)采用高选择比腐蚀剂对失效的边发射半导体激光器进行选择性腐蚀，在激光器两端损坏的谐振腔腔面处形成悬臂结构；(2)采用压针对上述悬臂结构外侧靠近激光器腔面处施加外力，使得损坏的腔面自然解理，形成新的腔面。本发明可以使由于COD问题失效的激光器，恢复大部分工作性能，有效延长激光器的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 半导体激光器 再生 方法 | ||
【主权项】：
1.一种边发射半导体激光器腔面的再生方法，包括：(1)采用高选择比腐蚀剂对失效的边发射半导体激光器进行选择性腐蚀，在激光器两端损坏的谐振腔腔面处形成悬臂结构；其中，选择性腐蚀具体为衬底材料的腐蚀速度大于有源区材料的腐蚀速度；(2)采用压针对上述悬臂结构外侧靠近激光器腔面处施加外力，使得损坏的腔面自然解理，形成新的腔面。
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