[发明专利]一种发光二极管芯片的制备方法有效
| 申请号： | 201610167493.7 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN105720142B | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 谢鹏;尹灵峰;韩涛;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片的制备方法，属于半导体制造领域。所述制备方法包括：在衬底上依次生长N型半导体层、有源层、P型半导体层；在P型半导体层上形成从P型半导体层延伸到N型半导体层的台阶；在P型半导体层上依次形成电流阻挡层、透明导电层、第一金属层；在氧气气氛下对透明导电层和第一金属层进行高温退火，第一金属层渗透到透明导电层中；在透明导电层上形成从透明导电层延伸到P型半导体层的凹槽；在凹槽内设置P型电极，在N型半导体层上设置N型电极；在透明导电层和N型半导体层上形成钝化层。本发明通过第一金属层渗透到透明导电层中，提高透明导电层的透光率和导电性，有效提高LED芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底上依次生长N型半导体层、有源层、P型半导体层；在所述P型半导体层上形成从所述P型半导体层延伸到所述N型半导体层的台阶；在所述P型半导体层上依次形成电流阻挡层、透明导电层、第一金属层；在氧气气氛下对所述透明导电层和所述第一金属层进行高温退火，所述第一金属层渗透到所述透明导电层中，在所述透明导电层和所述第一金属层进行高温退火的过程中，氧气的通入量为0.3～20sccm，高温退火的温度为550～650℃，高温退火的时间为3～8min；在所述透明导电层上形成从所述透明导电层延伸到所述P型半导体层的凹槽；在所述凹槽内设置P型电极，在所述N型半导体层上设置N型电极；在所述透明导电层和所述N型半导体层上形成钝化层。
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