[发明专利]制造半导体基片的方法和装置

摘要

本发明提供一种制造半导体基片的方法和装置。制造半导体基片的方法包括如下步骤：将半导体材料加热至熔融状态，得到熔融半导体材料；利用热喷涂枪将所述熔融半导体材料热喷涂至基板上，随后降温，使基板上的熔融半导体材料凝固，得到半导体基片。本发明的方法在制造半导体基片时材料利用率高、制造成本低，制造的半导体基片尺寸大、厚度可控、纯度高，应用前景广泛。

主权项

1.一种制造半导体基片的方法，其特征在于，包括如下步骤：将半导体材料加热至熔融状态，得到熔融半导体材料；利用热喷涂枪将所述熔融半导体材料热喷涂至基板上，随后降温，使基板上的熔融半导体材料凝固，得到半导体基片，在进行所述降温之前，向所述基板上的熔融半导体材料喷吹温度高于所述半导体材料熔点的惰性气体进行提纯，其中，在进行所述热喷涂时，控制所述热喷涂的速度为0.1‑0.5L/s，以0.1‑2m/min的速度连续移动所述热喷涂枪或所述基板。