[发明专利]一种湿法分离废弃电路板中电子元器件的方法及一种退锡剂有效
| 申请号： | 201610139425.X | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105624681B | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 郭学益;刘子康;田庆华;李栋 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C23F1/40 | 分类号： | C23F1/40;C22B25/06 |
| 代理公司： | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人： | 杨斌 |
| 地址： | 410000 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种湿法分离废弃电路板中电子元器件的方法，包括以下步骤：将强碱和络合剂溶解于水中得溶液I，强碱的浓度为150～300g/L，络合剂的浓度为20～40g/L；将废弃电路板清洗、干燥后放入上述溶液I中，在30℃～70℃条件下以每分钟加入溶液I体积的0.5～2.5％的流量向溶液I中加入氧化剂并搅拌反应20～40min，过滤，即将电子元器件与电路板分离。该方法分离速度快、对电子元器件损害小、适合工业应用。本发明还公开了一种退锡剂，包括溶有强碱和络合剂的水溶液，以及氧化剂，氧化剂在该退锡剂使用时持续添加到强碱和络合剂的水溶液中。该退锡剂成分简单、腐蚀性小、易于提取回收有价金属。 | ||
| 搜索关键词： | 强碱 电子元器件 络合剂 退锡剂 溶液I 氧化剂 废弃电路板 湿法分离 回收有价金属 电路板 工业应用 搅拌反应 放入 水中 过滤 清洗 溶解 损害 | ||
【主权项】：
1.一种湿法分离废弃电路板中电子元器件的方法，包括以下步骤：(1)将强碱和络合剂溶解于水中得溶液I；(2)将废弃电路板清洗、干燥后放入步骤(1)所得溶液I中，在30℃～70℃条件下以每分钟加入溶液I体积的0.5～2.5％的流量向溶液I中加入氧化剂并搅拌反应20～40min，同时使用超声波振荡溶液，反应完成后过滤，即将所述废弃电路板上的电子元器件与电路板分离，所述氧化剂为叔丁基过氧化氢或过氧化氢。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中南大学，未经中南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610139425.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种抛光剂及其制备方法
- 下一篇：一种沉积系统及转子模块的调整机构和调整方法
- 同类专利
- 一种钢铁表面去毛刺的方法-201811104067.4
- 胡次兵;丁春美 - 佛山市禅城区诺高环保科技有限公司
- 2018-09-21 - 2019-01-08 - C23F1/40
- 本发明涉及一种钢铁表面去毛刺的方法，属于钢铁表面处理技术领域。本发明首先以富含蚁酸的日本弓背蚁为原料，将其干燥破壁处理，之后将破壁产物和甘油混合后放入超声振荡仪中振荡提取，得到富含蚁酸的甘油浸提滤液，接着将待去毛刺的钢铁依次用多巴胺溶液和浸提滤液浸泡出来，浸泡后加热并加碱反应，最终水洗即可完成对钢铁的去毛刺处理，本发明提供的钢材表面去毛刺方法去毛刺效果显著，去毛刺后钢材表面光滑未被腐蚀，毛刺去除率高，具有广阔的应用前景。
- 一种纳米线骨架三维多孔泡沫镍及其制备方法-201810534432.9
- 朱少敏;赵冠霖 - 大连交通大学
- 2018-05-30 - 2018-10-19 - C23F1/40
- 本发明公开了一种纳米线骨架三维泡沫镍及其制备方法，包括以下步骤：(1)以氢氧化钠、碳酸钠、尿素配制得到刻蚀液，尿素的摩尔浓度0.05‐0.15mol/L，氢氧化钠与尿素的摩尔比为0～2:1，碳酸钠与尿素的摩尔比为0～2:1；(2)将泡沫镍经酸洗、去离子水水洗至中性并干燥；(3)将步骤(2)处理后泡沫镍放入刻蚀液中超声；(4)将刻蚀液和泡沫镍放入反应釜中进行水热处理；(5)冷却，取出泡沫镍，洗涤，干燥。本发明的制备方法简单，刻蚀液组成为工业化常规用碱，成本低，易于规模化生产，制备出的三维多孔泡沫镍，其骨架由约10‐50nm直径纳米线构筑而成，骨架上纳米线交错形成20‐50nm丰富网络状孔道。
- 一种湿法分离废弃电路板中电子元器件的方法及一种退锡剂-201610139425.X
- 郭学益;刘子康;田庆华;李栋 - 中南大学
- 2016-03-11 - 2018-07-13 - C23F1/40
- 本发明公开了一种湿法分离废弃电路板中电子元器件的方法，包括以下步骤：将强碱和络合剂溶解于水中得溶液I，强碱的浓度为150～300g/L，络合剂的浓度为20～40g/L；将废弃电路板清洗、干燥后放入上述溶液I中，在30℃～70℃条件下以每分钟加入溶液I体积的0.5～2.5％的流量向溶液I中加入氧化剂并搅拌反应20～40min，过滤，即将电子元器件与电路板分离。该方法分离速度快、对电子元器件损害小、适合工业应用。本发明还公开了一种退锡剂，包括溶有强碱和络合剂的水溶液，以及氧化剂，氧化剂在该退锡剂使用时持续添加到强碱和络合剂的水溶液中。该退锡剂成分简单、腐蚀性小、易于提取回收有价金属。
- 结晶性硅片的纹理蚀刻液组合物和纹理蚀刻方法-201510123035.9
- 林大成;洪亨杓;李承洙 - 东友精细化工有限公司
- 2015-03-20 - 2018-05-04 - C23F1/40
- 本发明提供结晶性硅片的纹理蚀刻液组合物和纹理蚀刻方法。本发明提供通过包含碱化合物和特定溶解度指数的化合物与碱金属(盐)的反应物，控制在结晶性硅片的表面形成微细锥形体结构时的相对于硅结晶方向的蚀刻速度差，防止碱化合物引起的过蚀刻，从而使不同位置的纹理的品质偏差最小化，使光效率增加的结晶性硅片的纹理蚀刻液组合物和纹理蚀刻方法。
- 一种刀具基体表面预处理方法-201610715130.2
- 惠勇;许燕;惠小桃 - 张家港合升进出口有限公司
- 2016-08-24 - 2016-12-07 - C23F1/40
- 本申请公开了一种刀具基体表面预处理方法，包括步骤：以铣刀片为基体，在第一试剂中以超声振动方式浸蚀WC相40～60分钟，所述第一试剂为K3(Fe(CN))6和KOH的混合溶液；浸蚀后的基体在第二试剂中酸蚀去钴8～10秒，所述第二试剂为硫酸溶液。通过本发明处理方法，可以对基体表面起到粗化作用，同时大幅降低表面钴元素。
- 一种新型2101双相不锈钢腐蚀溶液-201410291067.5
- 周雪 - 周雪
- 2014-06-26 - 2016-02-03 - C23F1/40
- 本发明公开了一种新型2101双相不锈钢腐蚀溶液，在蒸馏水中加入一定量的氢氧化钾、铁氰化钾和氢氧化钠，其中以体积分数计的组分为：氢氧化钾为19%，铁氰化钾为15%、氢氧化钠为5%，余量为蒸馏水，且加入顺序为先加入氢氧化钠，再加入铁氰化钾，最后加入氢氧化钾即可，采用本发明所制的腐蚀溶液，可使2101双相不锈钢的金相腐蚀变得与铝合金一样简单快捷，且节省成本，特别适用于2101双相不锈钢的腐蚀。
- 一种新型35Cr2MnSiC钢腐蚀溶液-201410289578.3
- 胡磊磊 - 胡磊磊
- 2014-06-26 - 2016-01-27 - C23F1/40
- 本发明公开了一种新型35Cr2MnSiC钢腐蚀溶液，在蒸馏水中加入一定量的硝酸、氢氧化钾、酒精，其中以体积分数计的组分为：硝酸为5.8%、氢氧化钾为9.6%、酒精为5.5%，余量为蒸馏水，且加入顺序为先加入硝酸，再加入氢氧化钾，最后加入酒精即可，采用本发明所制的腐蚀溶液，可使35Cr2MnSiC钢的金相腐蚀变得与铝合金一样简单快捷，且节省成本，可广泛应用于35Cr2MnSiC钢的腐蚀。
- 一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀液-201510295677.7
- 张姗;林春;廖清君;胡晓宁;叶振华 - 中国科学院上海技术物理研究所
- 2015-06-02 - 2015-10-21 - C23F1/40
- 本发明公开了一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀液。它由有机碱溶液四甲基氢氧化铵、去离子水和氧化剂过硫酸铵配制而成。首先将四甲基氢氧化铵溶液与去离子水配置成浓度为5％～20％的混合溶液，再根据混合液的体积加入1g/l～3g/l的过硫酸铵，最后将混合溶液放在温度超过80℃的水浴中加热，在50℃～65℃温度下使用。本发明的特点在于：腐蚀液的使用条件与碲镉汞工艺兼容，不改变碲镉汞芯片的物理特性，保证了分析结果的准确性。腐蚀液的选择性好，能够将Si衬底完全去除，但对缓冲层碲化镉和外延薄膜碲镉汞不腐蚀，获得完整清晰的外延材料观察界面，为从缓冲层碲化镉界面入手对位错进行观察提供了良好的观察样品。
- 一种钢管表面锌层退镀及回收锌的方法-201410414627.1
- 刘明慧;于宏兵;李红娜;张馨予 - 南开大学
- 2014-08-22 - 2014-12-10 - C23F1/40
- 一种钢管表面锌层退镀的方法，将要处理的锌层退镀钢管放入退锌液中，在温度为60-90℃条件下反应3-6小时，将处理后的钢管，用冷水冲洗干净即可；所述退锌液为氢氧化钾和碘化钾的混合水溶液；所述钢管表面锌层退镀回收锌的方法，将退锌液置于电解槽中，以不锈钢板为阳极，以钛合金板TC4为阴极，进行电解反应2-4小时，然后收集、清洗、烘干阴极表面锌粉。本发明的优点是：该方法操作简便，将钢管表面锌层退掉的同时不损害钢管主体，使钢管再次利用，节约生产成本。退锌液中的锌可回收，回收出来的锌粉的质量达到国家锌粉一级标准，提高锌粉的利用效率，同时退锌液能重复利用，不会对环境产生影响。
- 退锡剂、其制备方法及退锡的方法-201410235789.9
- 欧爱良;王英锋;陈彩霞;樊应县;刘季超;王智会;邵琴 - 深圳振华富电子有限公司
- 2014-05-29 - 2014-09-24 - C23F1/40
- 本发明涉及一种退锡剂、其制备方法及退锡的方法。该退锡剂包括水及溶解于所述水中的间硝基苯磺酸钠、强碱和柠檬酸盐，其中，所述间硝基苯磺酸钠的浓度为80～120g/L，所述强碱的浓度为150～200g/L，所述柠檬酸盐的浓度为10～20g/L。上述退锡剂以水为溶剂，不含有氟化物、硝酸等挥发性物质。经实验表明，在使用过程中也不会产生挥发性有害物质，较为环保。并且，该退锡剂呈碱性，只对锡层有作用，对其它基体金属及陶瓷体不腐蚀，并且作为化学退锡剂，能够避免电解法对工件形状有要求的缺陷，适用性好。
- 蚀刻用锡或锡合金填充的凹形结构的方法-201280014050.4
- N.伍德;D.特夫斯 - 安美特德国有限公司
- 2012-02-09 - 2013-12-04 - C23F1/40
- 本发明公开避免形成微坑的用锡或锡合金填充的凹形结构的平面化方法。这些结构可作为焊接沉积物用于电子器件中的稳定可靠焊接接头。
- 适用于QT热处理状态的9%Ni钢晶界的侵蚀剂及其使用方法-201310239759.0
- 熊庆人;赵文轸;孙良;刘亚旭;张伟卫;李炎华;王海涛 - 中国石油天然气集团公司;中国石油天然气集团公司管材研究所
- 2013-06-17 - 2013-09-25 - C23F1/40
- 本发明提供一种适用于QT热处理状态的9%Ni钢晶界的侵蚀剂，由过饱和苦味酸水溶液与自制活性剂组成；各组分的用量为：100-150ml过饱和苦味酸溶液和2-10ml自制活性剂；其中，自制活性剂按重量百分比计为16～18%十二烷基苯璜酸钠，1～3%氢氧化钠，4～6%环氧乙烷，其余为去离子水。自制剂可配置好后待用，性能稳定不易失效。本发明侵蚀剂能够清晰显示9%Ni钢材料晶界，该试剂配制简便，装置简单，能够清晰显示该材料的奥氏体晶粒边界，以便对其晶粒度级别进行评定，从而为9%Ni钢材料的生产工艺控制及检验评价提供可行性。
- 碱性有机腐蚀溶液和利用碱性有机腐蚀溶液去除硅片表面纳米级损伤层的方法-201210231731.8
- 陈同银;邢国强;张斌;刘仁中;马杰华 - 合肥海润光伏科技有限公司
- 2012-07-05 - 2012-10-10 - C23F1/40
- 本发明公开了一种碱性有机腐蚀溶液，包括四烷基氢氧化铵和去离子水，其中四烷基氢氧化铵的重量百分比为1%至25%。本发明还公开了一种使用如上所述的碱性有机腐蚀溶液去除硅片表面纳米级损伤层的方法。本发明可以很好的通过控制反应速度去除硅片表面的纳米级损伤层，提高少子寿命。
- 钌类金属的蚀刻用组合物及其配制方法-201080055523.6
- 佐藤冬树;齐藤康夫 - 昭和电工株式会社
- 2010-12-15 - 2012-08-29 - C23F1/40
- 一种钌类金属的蚀刻用组合物，至少添加并混合含溴化合物、氧化剂、碱性化合物和水而成，相对于合计质量，所述含溴化合物的添加量以溴元素量计为2~25质量%，氧化剂的添加量为0.1~12质量%，并且pH值为10以上且低于12。能够对钌类金属进行有效蚀刻。
- 一种烧结钕铁硼磁体化学镀镍层退镀液-201210129514.8
- 周向志;徐泽鹏;胡巍巍;刘本超;陈通 - 杭州广荣科技有限公司
- 2012-04-28 - 2012-08-22 - C23F1/40
- 本发明公开了一种烧结钕铁硼磁体化学镀镍层退镀液。该退镀液的有效成分包括氢氧化钠、乙二胺四甲叉磷酸钠（EDTMPS）、丁基萘磺酸钠、氯化钠、六水硝酸钕。与现有技术相比，本发明的退镀液不含有强硝酸（易产生黄烟）、氰化物（剧毒）、硝基有机化合物（剧毒、易爆），可减少环境污染和对操作人员身体的危害，也可以减少对厂房和设备的损害。通过对组分含量的合理设计，能够快速均匀地退除烧结钕铁硼磁体表面的化学镀镍层，同时对磁体本征无腐蚀。另外，本发明的退镀液配制容易、稳定性高而且使用寿命长。
- 一种低粗糙度硅片碱腐蚀工艺-201110420553.9
- 罗翀;张俊生;李满;严政先 - 天津中环领先材料技术有限公司
- 2011-12-15 - 2012-06-13 - C23F1/40
- 本发明涉及一种低粗糙度硅片腐蚀工艺。其步骤是：（A）在高压水浴锅内配制碱腐蚀液后，设定准备温度为115℃至130℃；（B）将装有研磨片的片蓝浸入碱腐蚀溶液中，关闭高压水浴锅上盖，加压至180-260Kpa，升温至145℃至160℃；（C）碱腐蚀1至10分钟后，提升机械手；（D）打开气阀进行放气至标准大气压后，打开高压水浴锅上盖，下载片蓝，浸入稀盐酸溶液内浸泡；浸泡后再进行快排漂洗、清洗、甩干、送检验；（E）利用热水箱对高压水浴锅进行补水，保持腐蚀液浓度配比，加热至准备温度。通过调整碱腐蚀的原始工艺，使碱腐蚀系统具备生产粗糙度在1um以下硅片的能力，为下一道抛光提供了更好的表面质量，从而满足市场对器件基底材料的要求。
- 单晶硅太阳电池及其的腐蚀液、制绒方法和制备方法和光伏组件-201110233162.6
- 高艳杰;霍桢潮;雷浩 - 英利能源（中国）有限公司
- 2011-08-15 - 2011-12-14 - C23F1/40
- 本发明提供一种用于<111>晶向单晶硅太阳电池的腐蚀液包括：3wt％～8wt％的氢氧化钾、0.0005wt％～0.01wt％的异丙醇、2wt％～6wt％的硅酸钠和余量的纯水。本发明还提供一种单晶硅太阳电池的制绒方法，其是使用上述腐蚀液在50℃～70℃对<111>晶向单晶硅片进行腐蚀。本发明还提供一种应用了上述腐蚀液和制绒方法的单晶硅电池片的制备方法，以及基体材料为<111>晶向的单晶硅太阳电池，和由上述单晶硅电池制成的光伏组件。该<111>晶向的单晶硅太阳电池强度较高，碎片率低。
- 一种氮化物硬质反应膜的退除方法-201110214821.1
- 张钧;贾恒;陈蒙;赵时璐;宋晓梅 - 沈阳大学
- 2011-07-29 - 2011-11-30 - C23F1/40
- 一种氮化物硬质反应膜的退除方法，其步骤包括：确定酒石酸、氢氧化钠、含30%H2O2的双氧水、十二烷基硫酸钠、蒸馏水作为配制退除液的原料；退除液的配制；退除工艺的确定。本发明操作简便，时间短，可以将各种形状工件表面的镀膜层完全退除掉。
- 水性分散体系和多晶硅片的刻蚀方法-201010179275.8
- 刘付胜聪;周作成 - E.I.内穆尔杜邦公司
- 2010-05-11 - 2011-11-16 - C23F1/40
- 公开了一种用于刻蚀多晶硅片的水性分散体系，它包括一种水性介质和分散于所述水性介质中的氢氧化铋和至少一种阴离子性或非离子性表面活性剂，所述氢氧化铋的浓度为0.0001-0.5mol/l，所述至少一种阴离子性或非离子性表面活性剂的浓度为1-5000ppm(以所述水性分散体系的总重量计)。还公开了用该水性分散体系刻蚀多晶硅片的方法和用此刻蚀方法得到的太阳能多晶硅片电池。
- 硅芯腐蚀工艺-201110137823.5
- 周大荣 - 无锡中彩科技有限公司
- 2011-05-26 - 2011-10-05 - C23F1/40
- 本发明涉及一种硅芯腐蚀工艺，特征是，包括以下工艺步骤：（1）将硅芯浸泡于碱溶液中浸泡10~20分钟，在浸泡时加入质量百分浓度为0.5~1%的双氧水，碱溶液的温度为50~60℃；（2）一级漂洗：将硅芯放入纯水中漂洗5~10分钟以去除碱溶液；（3）中和：将经一级漂洗后的硅芯放入氢氟酸溶液中浸泡以中和残余的碱溶液；（4）二级漂洗：将经中和处理后的硅芯置于纯水中漂洗5~10分钟以去除氢氟酸溶液；（5）洁净：将经二级漂洗后的硅芯放入用蒸汽加热的纯水中浸泡30~50分钟；（6）烘干：将硅芯置于烘箱中烘干。本发明的优点是：本发明所述方法的成本只有酸腐蚀的一半，且腐蚀液可反复使用；不会产生氮化物污染环境，且对人体不会造成危害。
- 一种多晶硅硅芯腐蚀的新方法-201110084413.9
- 刘岗;周大荣;孙建荣;蒋敏;孙兵;胡成发 - 连云港中彩科技有限公司
- 2011-04-06 - 2011-09-28 - C23F1/40
- 一种多晶硅硅芯腐蚀的新方法，按照质量百分含量配比如下：氢氧化钠20~40%、氟化钠4~6%和次氯酸钠0.3~0.7%，水50~70%制作腐蚀液，控制腐蚀温度为50~70℃，硅芯在液体中浸泡时间为3~5分钟，然后用纯水漂洗5~7遍，再用纯水煮沸3~5分钟，放入烘箱80~100℃烘干即可，采用了一种新的对多晶硅硅芯进行腐蚀处理，所得硅芯的比较面积达到40~80m－1，大大高于混酸腐蚀的比表面积，本发明取代传统使用的氢氟酸和硝酸混酸腐蚀液，提供了一个安全无污染、高效低成本的硅芯腐蚀新工艺；具有环境污染小、腐蚀成本低、人身无伤害及腐蚀效果好的特点。
- 辊体退锌处理剂-201110092985.1
- 王建康 - 上海君山表面技术工程股份有限公司
- 2011-04-13 - 2011-09-14 - C23F1/40
- 本发明公开了一种辊体退锌处理剂，其特征在于，按照重量百分比包括以下组分，NaOH：20％～55％；稳定剂：1％～10％；缓蚀剂：1％～10％；其余为水。使用本发明中的辊体退锌处理剂和处理方法处理后的辊子，可以恢复至与新辊同样的性能，可使辊子再生后继续使用，对同一个辊子可多次使用本发明中的处理剂和处理方法处理，提高了辊子的使用寿命和利用率。使用本发明中的辊体退锌处理剂和处理方法，可大大减少炼钢厂的成本。
- 单晶硅电池片高效制绒专用腐蚀溶液-201010238046.9
- 何垚 - 常州亿晶光电科技有限公司
- 2010-07-28 - 2011-02-16 - C23F1/40
- 本发明公开了一种单晶硅电池片高效制绒专用腐蚀溶液，并公开了其配制方法和使用它进行制绒的方法。所述单晶硅电池片高效制绒专用腐蚀溶液为氢氧化钾和1，4环己二醇的混合溶液，其中，氢氧化钾的浓度控制在15-25g/L，1，4环己二醇的浓度控制在45-55g/L。用它取代现有强碱与异丙醇配制的制绒腐蚀溶液，制绒时间只要10分钟，比现有技术缩短近20分钟，能使现有单晶硅电池片的制绒效率提高2倍。
- 金属钛或钛合金超疏水表面的制备方法-200810183386.9
- 刘维民;王道爱;刘盈;周峰 - 中国科学院兰州化学物理研究所
- 2008-12-02 - 2010-06-23 - C23F1/40
- 本发明涉及一种金属钛或钛合金超疏水表面的制备方法。本发明首先将金属钛或钛合金机械抛光，再依次用乙醇、丙酮以及蒸馏水超声清洗；然后置于碱液的反应器中进行水热法反应；反应结束后用蒸馏水清洗，得到微纳米结构粗糙化的钛基表面；最后将低表面能的化学修饰剂旋涂到干燥好的钛基表面，并在60-120℃热处理0.5-2h，能够得到钛基超疏水性表面。将纯水、酸或碱液滴加到制备的钛基超疏水表面进行接触角测定，接触角均大于150°。
- 一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺-200910241854.8
- 陈海滨 - 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
- 2009-12-10 - 2010-06-02 - C23F1/40
- 本发明公开了一种可去除腐蚀黑印的硅片腐蚀工艺，它包括：经装有碱化学液的化学槽腐蚀、一个清洗槽1清洗和装有去离子水的清洗槽2清洗，清洗槽1需要加温。I号清洗液由去离子水、过氧化氢和浓氨水按一定配比混合而成。I号清洗液加热的温度为50-100℃。其中清洗槽1清洗的时间为1-50分钟，清洗槽2清洗的时间为1-30分钟。该方法不仅能有效去除黑印，简便易实施，而且可以为后续工序减少颗粒和金属污染。
- 一种用于单晶硅绒面制备的碳酸盐和苛性碱的混合溶液-200910181550.7
- 屈盛;韩增华;余银祥 - 欧贝黎新能源科技股份有限公司
- 2009-07-20 - 2010-01-06 - C23F1/40
- 一种用于单晶硅绒面制备的碳酸盐和苛性碱的混合溶液，它涉及太阳电池制备的技术领域，特别是单晶硅太阳电池的生产技术中绒面的制备。它的配方由以下部分组成：碳酸盐、苛性碱和异丙醇。采用本发明的腐蚀溶液进行单晶硅绒面的制备，不仅反应容易控制，制备出的绒面金字塔均匀性好、硅片表面一致性好，而且采用本发明的腐蚀溶液来制备单晶硅绒面，具有低成本、易操作的特点，可以应用于大规模工业化生产，具有较好的实用价值。
- 半导体硅片腐蚀液-200910017216.8
- 唐晓刚;杨仲华;刘静;张桂仙 - 威海双丰物探设备股份有限公司
- 2009-07-11 - 2009-12-23 - C23F1/40
- 一种半导体硅片腐蚀液，涉及微机械加工，按重量百分比，氢氧化钾20-30％，异丙醇10-15％，其余为水，搅拌均匀制成品，异丙醇对(100)硅片的晶向线方向和垂直于晶向线方向的腐蚀速度起到干扰作用，而对非晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度影响小，腐蚀如正六边形微机械结构、正八边形微机械结构时，在晶向线方向、垂直于晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度相同，腐蚀如正六边形微机械结构、正八边形微机械结构不变形，适用于腐蚀加工晶向线方向、垂直于晶向线方向和非垂直于晶向线方向，如正六边形、正八边形等半导体(100)硅片的微机械结构。
- 用于镁合金表面处理的多元络合碱刻蚀液的制备方法-200910047509.0
- 成旦红;段剑辉;叶根;曹铁华;彭根生 - 上海大学
- 2009-03-13 - 2009-09-23 - C23F1/40
- 本发明涉及一种用于镁合金表面处理的多元络合碱刻蚀液的制备方法，属金属表面处理工艺技术领域。本发明的多元络合碱刻蚀液的配方如下：在溶剂纯水1升中加有一定量的以下物质，其各物质的质量如下：主络合剂乙二胺四乙酸二钠或乙二胺四乙酸四钠30～50g，主络合剂柠檬酸钠70～100g，辅助络合剂焦磷酸钠10～20g，辅助络合剂氨三乙酸20～30g，缓冲剂碳酸钠50～60g，缓蚀剂六亚甲基四胺0.1～1.0g；上述配制好的溶液用20％NaOH溶液进行pH值的调节，pH值控制在9～11。本发明的镁合金碱性刻蚀液不含铬化合物、不含强酸和氟化物，对人体和环境无害，有利环保。经该刻蚀液处理后的镁合金表面有银白色金属光泽，表面平整度较高，且没有腐蚀产物或其他杂质附着表面，表面质量良好。
- 一种制备单晶硅绒面的碱腐蚀溶液及方法-200810122243.7
- 蒋冬;方为仁 - 蒋冬;方为仁
- 2008-11-13 - 2009-05-06 - C23F1/40
- 本发明属于制造单晶硅太阳能电池领域，公开了一种制备单晶硅绒面的碱腐蚀溶液及方法。该溶液为碱溶液、异丙醇和Na2SiO3的混合液，其结构特点是还含有重量百分比为0.02‰～0.1‰的Pb(NO3)2或Pb；碱溶液的重量百分比为1％～3.5％，异丙醇的重量百分比为5％～7％，Na2SiO3的重量百分比为0.2％～2％。该方法为将单晶硅片浸泡在该碱腐蚀溶液中进行腐蚀反应，反应时间为20～30分钟，碱腐蚀溶液的温度为75～85℃。本发明具有使单晶硅片表面反射率降低、制备的绒面金字塔细密、成本低、操作简单、稳定有效制备单晶硅绒面的优点。
- 专利分类
