[发明专利]用于在EEPROM存储器中进行写入的方法和相应的存储器有效

专利信息
申请号: 201610099337.1 申请日: 2016-02-23
公开(公告)号: CN106448730B 公开(公告)日: 2019-12-13
发明(设计)人: F·塔耶;M·巴蒂斯塔 申请(专利权)人: 意法半导体(鲁塞)公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/14;G11C16/34
代理公司: 11256 北京市金杜律师事务所 代理人: 王茂华;董典红
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 本申请涉及用于在EEPROM存储器中进行写入的方法和相应的存储器。根据一种实现模式,提出当可选地使用传统写命令时,通过基于待写入数据的值并且可选地基于存储器中存在的数据的值来删除擦除步骤或者编程步骤,从而自动地加速写操作。当存储器被配备有基于汉明码的纠错码时,汉明码的性质使得可以容易地实现存储器内写入循环的这一可能的加速。这一性质在于,根据该性质,当将n个字节组在一起的数字字的字节的所有比特等于零时,与这些字节相关联的校验位也都等于零。
搜索关键词: 用于 eeprom 存储器 进行 写入 方法 相应
【主权项】:
1.一种用于对存储器进行写入的方法,所述方法包括:/n接收关于执行写入操作的指示,所述写入操作用于将新内容写入到电可编程和可擦除只读存储器设备的存储器层的存储器位置;/n确定所述写入操作是需要擦除步骤和编程步骤二者、还是仅需要擦除步骤、还是仅需要编程步骤、还是既不需要擦除步骤也不需要编程步骤,所述确定是根据所述存储器位置的当前内容与待写入所述存储器位置的所述新内容之间的整体比较来作出的;以及/n基于所述确定的结果,通过执行所述擦除步骤和所述编程步骤、仅执行所述擦除步骤、仅执行所述编程步骤或者既不执行所述擦除步骤也不执行所述编程步骤,来执行所述写入操作。/n
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