[发明专利]一种带有DBR掩膜的三族氮化物发光器件及制备方法在审
| 申请号： | 201610098888.6 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN105742958A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 张佰君;杨亿斌 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种带有DBR掩膜的三族氮化物发光器件及制备方法，发光器件自下而上依次有n型电极、衬底、三族氮化物成核层和缓冲层、n型三族氮化物层、图形化分布布拉格反射镜（DBR）介质掩膜、选择区域生长的n型三族氮化物层、三族氮化物有源层、p型三族氮化物层、露出p型三族氮化物层顶部的介质掩膜、透明导电层、p型电极、顶部DBR介质膜。其中，p型电极设置在透明导电层上，n型电极设置在衬底底部或者n型三族氮化物层上。本发光器件具有尺寸可控、晶体质量高、性能稳定、量子效率极高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 dbr 氮化物 发光 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带有DBR掩膜的三族氮化物发光器件，其特征在于，发光器件自下而上依次有衬底（1）、三族氮化物成核层和缓冲层（2）、n型三族氮化物层（3）、图形化DBR介质掩膜组、选择区域生长的n型三族氮化物层（6）、三族氮化物有源层（7）、p型三族氮化物层（8）、露出p型三族氮化物层顶部的介质掩膜（9）、透明导电层（10）、p型电极（11）、顶部DBR介质膜组；其中图形化DBR介质掩膜组是由第一图形化DBR介质掩膜（4）或第二图形化DBR介质掩膜（5）构成，或由第一图形化DBR介质掩膜（4）和第二图形化DBR介质掩膜（5）周期性交替构成；其中顶部DBR介质膜组是由第一顶部DBR介质膜（13）或第二顶部DBR介质膜（14）构成，或由第一顶部DBR介质膜（13）和第二顶部DBR介质膜（14）周期性交替构成；上述带有DBR掩膜的三族氮化物发光器件还包括n型电极（12），该n型电极（12）设置在衬底（1）底部或设置在n型三族氮化物层（3）上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610098888.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光装置及投影仪
- 下一篇：一种用于电缆外皮的便携式切割装置及方法
