[发明专利]光掩模组及其制造方法、光掩模及显示装置的制造方法有效
申请号: | 201610097419.2 | 申请日: | 2016-02-23 |
公开(公告)号: | CN105911812B | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
发明(设计)人: | 山口昇 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F1/56 |
代理公司: | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供光掩模、光掩模组、光掩模及显示装置的制造方法,即使是更细微化、集成度更高的显示装置,也能够以良好的成品率稳定地进行生产。一种具有转印用图案的光掩模,该转印用图案是对形成在透明基板上的半透光膜和遮光膜分别进行构图而得到的,其特征在于,所述转印用图案包含透光部、遮光部、半透光部以及半透光缘部,所述透光部与宽度为W(μm)的所述半透光缘部相邻,所述半透光缘部与所述遮光部相邻,并且0<W≦0.3。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 模组 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模的制造方法,所述光掩模用于光学间隔物制造,该光掩模具有包含透光部、遮光部、半透光部以及半透光缘部的转印用图案,该转印用图案是对透明基板上的半透光膜和遮光膜分别进行构图而形成的,/n该光掩模的制造方法的特征在于,/n所述光掩模的制造方法仅具有一次描绘工序,/n所述光掩模的制造方法具有如下工序:/n准备光掩模坯体,该光掩模坯体是在所述透明基板上依次层叠所述半透光膜、所述遮光膜以及抗蚀剂膜而成的;/n抗蚀剂图案形成工序,使用描绘装置,根据区域而应用不同的照射能量对所述抗蚀剂膜进行用于描绘的所述描绘工序,通过显影使得所述遮光膜的一部分露出,并且在残膜部分中形成残膜厚度根据区域而不同的第1抗蚀剂图案;/n第1蚀刻工序,将所述第1抗蚀剂图案作为掩模而对所述遮光膜和所述半透光膜进行蚀刻;/n抗蚀剂减膜工序,对所述第1抗蚀剂图案进行减膜,成为新露出所述遮光膜的一部分的第2抗蚀剂图案;以及/n第2蚀刻工序,将所述第2抗蚀剂图案作为掩模而对所述遮光膜进行蚀刻,/n其中,通过所述第1蚀刻工序和所述第2蚀刻工序形成包含所述透光部、所述遮光部、所述半透光部以及所述半透光缘部的图案,在该图案中,所述透光部隔着宽度为W的所述半透光缘部而与所述遮光部相邻,并且0<W≦0.3,所述W的单位为μm。/n
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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