[发明专利]一种基于半导体界面异质节结构的激光器在审
申请号: | 201610090495.0 | 申请日: | 2016-02-18 |
公开(公告)号: | CN105576504A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 苏辉;陈阳华;林中晞;林琦 | 申请(专利权)人: | 福建中科光芯光电科技有限公司 |
主分类号: | H01S5/323 | 分类号: | H01S5/323 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350003 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提供一种基于半导体界面异质节结构的激光器,包括依次设置的下电极、衬底、下接触、有源层、上接触层、盖层、介质膜层、上电极构成,其特征在于:所述有源层为半导体异质节结构,所述半导体异质节结构,所述异质节结构的一侧为与衬底同质的材料,异质节的另一侧为与衬底晶格常数相同而禁带宽度不同的材料。该激光器输出功率高,制备工艺稳定,在激光测距、激光制导、相干通信、大气研究、医疗器械、光学图像处理、激光打印机等高科技领域有着独具特色的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 半导体 界面 异质节 结构 激光器 | ||
【主权项】:
一种基于半导体界面异质节结构的激光器,包括依次设置的下电极、衬底、下接触、有源层、上接触层、盖层、介质膜层、上电极构成,其特征在于:所述有源层为半导体异质节结构,所述半导体异质节结构,所述异质节结构的一侧为与衬底同质的材料,异质节的另一侧为与衬底晶格常数相同而禁带宽度不同的材料。
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