[发明专利]发光二极管芯片在审

专利信息
申请号: 201610089450.1 申请日: 2016-02-17
公开(公告)号: CN105895772A 公开(公告)日: 2016-08-24
发明(设计)人: 黄逸儒;庄东霖;沈志铭;许圣宗;黄冠杰;黄靖恩;丁绍滢 申请(专利权)人: 新世纪光电股份有限公司
主分类号: H01L33/40 分类号: H01L33/40;H01L33/62
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马雯雯;臧建明
地址: 中国台湾台南*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种发光二极管芯片,接合于承载基板上。发光二极管芯片包括半导体磊晶结构以及至少一电极垫结构。半导体磊晶结构电性连接至承载基板。电极垫结构包括共晶层、阻挡层以及延展层。共晶层适于共晶接合于承载基板上。阻挡层配置于共晶层与半导体磊晶结构之间,以阻挡共晶层材料于共晶接合时扩散。延展层配置于共晶层与半导体磊晶结构之间,且延展层可具有至少一金属材料堆栈形成。延展层减少在共晶接合的过程中因基板随着加热的过程热胀冷缩而对发光二极管芯片产生的应力,避免电极垫结构产生裂缝,而维持发光二极管芯片的质量。
搜索关键词: 发光二极管 芯片
【主权项】:
一种发光二极管芯片,其特征在于,接合于一承载基板上,所述发光二极管芯片包括:一半导体磊晶结构;以及至少一电极垫结构,将所述半导体磊晶结构电性连接至所述承载基板,且所述电极垫结构包括:一共晶层,适于共晶接合于所述承载基板上;一阻挡层,配置于所述共晶层与所述半导体磊晶结构之间,;以及一延展层,配置于所述阻挡层与所述半导体磊晶结构之间。
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