[发明专利]具有深层电荷平衡结构的双极半导体器件有效
| 申请号： | 201610087225.4 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN105938850B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | F·乌德雷亚;A·P-S·谢;G·卡穆索;C·吴;Y·唐;R·K·维特拉 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技美国公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新;蔡洪贵 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了具有深层电荷平衡结构的双极半导体器件的多个实施方式。这种器件包括具有第一导电类型的漂移区，其位于具有第二导电类型的阳极层之上。该器件还包括穿过具有第二导电类型的反转区延伸到漂移区内并且通过具有第一导电类型的阴极扩散区限定边界的控制沟槽。另外，该器件包括位于控制沟槽下方的深层子沟槽结构。该深层子沟槽结构包括具有第一导电类型的一个或多个第一导电区和具有第二导电类型的一个或多个第二导电区，该一个或多个第一导电区和该一个或多个第二导电区被配置用于对深层子沟槽结构进行实质电荷平衡。在一个实施方式中，该双极半导体器件是绝缘栅双极晶体管(IGBT)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 深层 电荷 平衡 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极晶体管(IGBT)，包括：具有第一导电类型的漂移区，其位于具有第二导电类型的集电极之上，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；栅沟槽，其穿过具有所述第二导电类型的基部延伸到所述漂移区内，所述栅沟槽通过具有所述第一导电类型的发射极扩散区限定边界；深层子沟槽结构，其包括在所述栅沟槽正下方位于所述漂移区中的具有所述第一导电类型的至少一个第一导电区和在所述栅沟槽正下方位于所述漂移区中的具有所述第二导电类型的至少一个第二导电区；所述至少一个第一导电区和所述至少一个第二导电区被配置用于对所述深层子沟槽结构进行实质电荷平衡。
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