[发明专利]存储单元及其形成方法

摘要

一种存储单元及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底内具有阱区；在衬底的阱区表面形成分立的选择栅结构、浮栅结构和伪栅结构；以选择栅结构、浮栅结构和伪栅结构为掩膜，在衬底的阱区内形成第一轻掺杂区、第二轻掺杂区和第三轻掺杂区，第一轻掺杂区和第二轻掺杂区位于选择栅结构两侧，且第二轻掺杂区位于相邻选择栅结构和浮栅结构之间，第三轻掺杂区位于相邻浮栅结构和伪栅结构之间；之后，在选择栅结构、浮栅结构和伪栅结构的侧壁表面以及部分衬底表面形成侧墙；以浮栅结构、伪栅结构和侧墙为掩膜，在第三轻掺杂区内形成源区，第三轻掺杂区包围源区。所形成的存储单元漏电流减少、性能提高。

主权项

1.一种存储单元的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内具有阱区；在所述衬底的阱区表面形成分立的选择栅结构、浮栅结构和伪栅结构，且所述选择栅结构和伪栅结构分别位于所述浮栅结构两侧；以所述选择栅结构、浮栅结构和伪栅结构为掩膜，在所述衬底的阱区内形成第一轻掺杂区、第二轻掺杂区和第三轻掺杂区，所述第一轻掺杂区和第二轻掺杂区位于所述选择栅结构两侧，且所述第二轻掺杂区位于相邻选择栅结构和浮栅结构之间，所述第三轻掺杂区位于相邻浮栅结构和伪栅结构之间；在形成所述第一轻掺杂区、第二轻掺杂区和第三轻掺杂区之后，在所述选择栅结构、浮栅结构和伪栅结构的侧壁表面以及部分衬底表面形成侧墙；以所述选择栅结构、浮栅结构、伪栅结构和侧墙为掩膜，在所述第一轻掺杂区内形成字线区，在所述第三轻掺杂区内形成源区，所述第三轻掺杂区包围所述源区，所述第三轻掺杂区和源区掺杂有第二类型离子，且所述源区内的第二类型离子的掺杂浓度大于所述第三轻掺杂区内的第二类型离子的掺杂浓度。