[发明专利]一种读出放大器及MRAM芯片

摘要

本发明提供一种读出放大器，读出放大器包括输入部分与差分电流输出部分，输入部分与差分电流输出部分在输入部分的第一输入端V_in、第二输入端V_in_n连接；其中，第一输入端V_in用于输入经过存储单元的电流，第二输入端V_in_n用于输入经过参考单元的电流；差分电流输出部分用于比较输入部分输入的两个电流并输出比较结果。本发明还提供一种MRAM芯片。本发明提供的读出放大器及MRAM芯片，使得电阻最优，因此读出的速度更快，读出操作更省电；使得参考电阻的分布变窄，降低判定高阻状态、低阻状态的出错几率，提高MRAM芯片良率；通过参数选择，使得组合参考单元的电阻更接近最优选择，进一步提高MRAM芯片良率。

主权项

1.一种读出放大器，包括输入部分与差分电流输出部分，其特征在于，所述输入部分与差分电流输出部分在所述输入部分的第一输入端V_in和第二输入端V_in_n连接；其中，第一输入端V_in用于输入经过存储单元的电流，第二输入端V_in_n用于输入经过参考单元的电流；所述差分电流输出部分用于比较输入部分输入的两个电流并输出比较结果；所述差分电流输出部分包括P型MOS管P0、P型MOS管P1与P型MOS管P2，以及N型MOS管N1、N型MOS管N2与N型MOS管N5，其中，P型MOS管P1与P型MOS管P2为等同的P型MOS管，N型MOS管N1和N型MOS管N2为等同的N型MOS管，所述P型MOS管P0工作在线性区；P型MOS管P0的栅极连接使能端EN_n，源极连接电压端VDD，漏极分别与P型MOS管P1的源极、P型MOS管P2的源极连接；N型MOS管N5的栅极连接使能端EN_n；N型MOS管N5的漏极、P型MOS管P2的栅极、N型MOS管N2的栅极、P型MOS管P1的漏极以及N型MOS管N1的漏极连接到第一输出端V_out；N型MOS管N5的源极、P型MOS管P1的栅极、N型MOS管N1的栅极、P型MOS管P2的漏极以及N型MOS管N2的漏极连接到第二输出端V_out_n；N型MOS管N1的源极连接到第一输入端V_in；N型MOS管N2的源极连接到第二输入端V_in_n。