[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号： | 201610056968.5 | 申请日： | 2016-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN105575894B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 文江鸿;齐智坚;张智;唐滔良;陈帅;王志会;钱谦;唐秀珠;苟中平;陈刚 | 申请（专利权）人： | 重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 400714 重庆市北碚区*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，阵列基板的制作方法，包括：在基板上形成第一导电图形；在形成有所述第一导电图形的基板上形成包括有过孔的绝缘层，所述过孔处暴露出至少部分所述第一导电图形；将形成有所述绝缘层的基板沉浸在金属盐溶液中；向所述第一导电图形输入电信号，使得过孔处的金属盐溶液在接触到所述第一导电图形后，金属盐溶液中的金属离子被还原而沉积在所述过孔处形成导电连接部。本发明的技术方案能够优化阵列基板过孔处的电连接状况，提高阵列基板的生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成第一导电图形；在形成有所述第一导电图形的基板上形成包括有过孔的绝缘层，所述过孔处暴露出至少部分所述第一导电图形；将形成有所述绝缘层的基板沉浸在金属盐溶液中；向所述第一导电图形输入电信号，使得过孔处的金属盐溶液在接触到所述第一导电图形后，金属盐溶液中的金属离子被还原而沉积在所述过孔处形成导电连接部；所述阵列基板上形成有与所述第一导电图形连接的信号输入端，所述向所述第一导电图形输入电信号包括：向所述信号输入端输入电信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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